AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜的制备及其逆磁电效应研究

童贝, 杨晓非, 林更琪, 陈实, 欧阳君

Preparation and Converse Magnetoelectric Effect of AlN/FeCoSiB Magnetoelectric Composite Films

TONG Bei, YANG Xiao-Fei, LIN Geng-Qi, CHEN Shi, OUYANG Jun

图3 500℃退火后AlN薄膜的FESEM截面形貌选择500 ℃退火处理的SiSiO 2 MoAlN薄膜作为基底, 根据表1的溅射条件, 溅射制备FeCoSiB磁致伸缩薄膜。图4给出了SiSiO 2 MoAlNFeCoSiB复合薄膜的断面形貌, 可以看到, AlN压电层和FeCoSiB磁致伸缩层之间具有非常清晰的分界线, 并没有出现相互渗透的现象; 这种结合良好的界面是以环氧树脂粘结的层状磁电复合材料所无法比拟的。
Fig. 3 Cross-sectional FESEM image of AlN thin film annealed at 500℃