纳米金属氧化物制备多晶Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub>薄膜反应过程及其性能研究

纳米金属氧化物制备多晶Cu(In,Ga)Se₂薄膜反应过程及其性能研究

郑春满, 韦永滔, 谢凯, 韩喻

Preparation of Polycrystalline Cu(In,Ga)Se₂ Thin Film with Nano-metal Oxide: the Chemical Reaction Process and Its Properties

ZHENG Chun-Man, WEI Yong-Tao, XIE Kai, HAN Yu

图3 不同还原温度下所制得CIG薄膜的XRD图谱
Fig. 3 XRD patterns of CIG film reduced at different temperatures a Nano-metal oxide film; b 400℃; c 450℃; d 500℃; e 550℃; f 600℃