|
弛豫型铁电体PZNT制备与性能研究的进展
许桂生,罗豪,齐振一,徐海清,殷之文
1999 Vol. 14 (1): 111
摘要(
1921 )
PDF(702KB)(
1337
)
本文综述了近年来国际上弛豫型铁电体PZNT的制备与介电、压电及电致伸缩性能研究的进展.PZNT单晶体的制备方法以高温PbO熔剂法为主,其尺寸已达40mm.随PT含量的变化,PZNT的顺电一铁电相交由弥散性、混合型变为一级相变;其铁电-铁电相变可由组份或电场诱导,由介电性能表征.压电性能在MPB处及偏向三方相一侧达到最佳,<001>切向的三方相与四方相单晶可分别作为频带宽、分辨率高、且阻抗匹配好的新一代声阵列与单个器件传感器.<001>向的PZNT单晶具有巨大的电致伸缩应变,可望成为高性能的固体驱动器.
|
|
氟化铅晶体的生长与Cherenkov辐射特性
沈定中,任国浩,王绍华,邓群,殷之文
1999 Vol. 14 (1): 1216
摘要(
1948 )
PDF(224KB)(
1155
)
采用脱氧剂非真空坩埚下降法生长出的大尺寸PbF2晶体具有优异的Cherenkov辐射特性,其透光截止波长最短可达245um,能量分辨率优于32%/E1/2,辐照损伤很弱,用365um的过滤光漂白后,透光能力几乎可以完全恢复到辐照之前的水平.
|
|
新型GeS2-Ga2S3-KBr系统玻璃的形成及性能
王德强,陈玮,程继健
1999 Vol. 14 (1): 1722
摘要(
1821 )
PDF(406KB)(
753
)
本文研究了GeS2-Ga2S3-KBr系统玻璃的形成范围.根据玻璃的红外光谱、可见光谱、特征温度、热膨胀、电导、析晶和耐水性测试结果,该系统玻璃具有较宽的透过波段(0.45~11.5μm),透过率大于60%;较高的转变温度、热膨胀软化温度(355℃)和析晶温度(593℃);23℃时玻璃的电导率为10-9~10-12S/cm,270℃时电导率为10-4~10-6s/cm;玻璃耐水性较好.
|
|
As2Se3-AsTe-CuI系统玻璃的形成和结构研究
陈玮,程继健
1999 Vol. 14 (1): 2328
摘要(
1792 )
PDF(353KB)(
904
)
为了探索新的透红外材料,本文研究了As2 Se3-AsTe-CuI系统玻璃的形成区,制备了一系列不同ASTe和CuI含量的玻璃.研究表明:该系统玻璃的形成范围相当大,AS2Se3-ASTe二元系统可以任何比例形成玻璃,AS2Se3-CuI和AsTe-CuI二元系统,当CSI含量分别达70和40mol%时,仍可形成稳定的玻璃,直径在20mm厚度在50mm以上的玻璃样品很容易得到.研究了部分玻璃样品的远红外光谱,结果表明:该系统玻璃的结构单元主要是:[AS(SeTe)3-xIx](x=0~3)、[As2Te4]和[CuI4],随玻璃的成分不同,这些结构单元的相对比例也不同,根据研究结果提出了该系统玻璃的结构模型.
|
|
超临界流体干燥法制备纳米级TiO2的研究
张敬畅,曹维良,于定新,石锦华,窦正仓
1999 Vol. 14 (1): 2935
摘要(
1987 )
PDF(541KB)(
1355
)
本文以廉价无机盐为原料,采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)结合超临界流体干燥(SupercriticalFluidDrying简称SCFD)制备了纳米级TiO2,并采用XRD、DTA-TG、TEM技术研究了Sol-Gel过程中溶液的pH值、浓度、陈化时间及SCFD技术等条件对TiO2粒径大小的影响,实现了干燥晶化一步完成.用该方法制得的TiO2超细粉体,粒径大都在3~6um之间,呈球形微粒,粉体晶型为锐钛矿型,并具有纯度高、热稳定性好、失重小和粒度分布均匀等特性.
|
|
高性能β″-Al2O3陶瓷压型粉料的制备
樊增钊,顾中华,陈昆刚,徐孝和
1999 Vol. 14 (1): 3642
摘要(
1916 )
PDF(515KB)(
869
)
本工作研究了β″-Al2O3陶瓷压型粉料的化学组成;制备方法对其密度、电导及显微结构的影响.与水基料浆喷雾干燥相比,酒精基料浆稳定性好,易于调制,其喷雾干燥粉料收获率高,化学组成均匀,耐大气湿气性好,粉体颗粒可在较低压力下被压碎,生坯压实密度较高.采用Li2O-Al2O3和Na2O-Al2O3混合物的高温煅烧产物为组元,配成化学组成为0.69~075wt%Li2O,8.85~9.10wt%Na2O,其余为Al2O3的酒精基料浆喷雾干燥粉料,可获得密度、电导和显微结构俱佳的高性能β″-Al2O3陶瓷.
|
|
高分散、均混合Al2O3-SiC-ZrO2(3Y)水悬浮液
张巨先,杨静漪,郁新,侯耀永,高陇桥
1999 Vol. 14 (1): 4348
摘要(
1914 )
PDF(487KB)(
766
)
用微波法制备纳米水合二氧化锆,通过包覆工艺,将Y(OH)3均匀地包覆在水合二氧化锆粒子表面,制备出ZO2(3Y)的先驱体.然后用聚甲基丙烯酸铵(PMAA-NH4)对α-Al2O3、纳米SiC及包覆水合二氧化锆表面改性.使三种单相水悬浮液在PH=9.0时,粒子表面电性相同,且有良好分散状态.从而制备出高分散、均混合Al2O3-SiC-ZrO2(3Y)先驱体水悬浮液.
|
|
钛掺杂对介孔硅材料结构性能的影响
王连洲,施剑林,禹剑,阮美玲,严东生
1999 Vol. 14 (1): 4954
摘要(
1854 )
PDF(509KB)(
901
)
在室温碱性条件下合成了Ti掺杂的介孔硅材料MCM-41,借助XID、IR、HREM和N2吸附等分析手段,探讨了Ti掺杂量对介孔材料结构和性能的影响.结果表明:掺杂的Ti离子可以进入Si骨架,并生成Si-O-Ti键.随着Ti掺杂量的增加,六方规则排列的介孔硅结构有序度下降,最终可导致结构一致性的破坏.
|
|
放电等离子超快速烧结SiC-Al2O3纳米复相陶瓷
高濂,王宏志,洪金生,宫本大树,DIAZ DE LA TORRE Sebastian
1999 Vol. 14 (1): 5560
摘要(
1980 )
PDF(458KB)(
755
)
本文介绍用非均相沉淀法制备的纳米SiC-Al2O3复合粉体经放电等离子超快速烧结得到晶内型的纳米复相陶瓷,超快速烧结的升温速率为600℃/min,在烧结温度不保温,迅即在3min内冷却至600℃以下.与热压烧结相比,可降低烧结温度200℃以上.力学性能研究结果表明,在1450℃超快速烧结得到的纳米复相陶瓷的抗弯强度高达1000MPa,维氏硬度为19GPa,断裂韧性也比Al2O3有所提高.TEM像显示纳米SiC颗粒大多分布在Al2O3母体晶粒内,而断裂表面的SEM像表明,穿晶断裂是其主要的断裂模式,这是所制备的纳米复相陶瓷力学性能大幅提高的主要原因.
|
|
高温等静压烧结碳化硅基复相陶瓷的强化与增韧
董绍明,江东亮,谭寿洪,郭景坤
1999 Vol. 14 (1): 6165
摘要(
1765 )
PDF(371KB)(
889
)
本文通过Si3N4、TiC及SiC晶须补强SiC基复相陶瓷的高温等静压烧结,研究了复相陶瓷的显微结构与力学性能,探讨了晶须及第二相颗粒对复相陶瓷的强化与增韧机理.结果表明,不同的补强颗粒及晶须在基体中的作用也不同,Si3N4的引入将在基体与第二相颗粒之间产生径向压应力,阻碍裂纹的扩展,TiC的引入将在基体与第二相颗粒之间产生径向张应力,诱导裂纹的偏转;SiC晶须的引入也将产生阻碍裂纹扩展的机制,从而达到SiC基复相陶瓷强化与增韧,改善其力学性能.
|
|
颗粒包覆法制备X7R特性PZN基复相陶瓷
岳振星,王晓莉,张良莹,姚熹
1999 Vol. 14 (1): 6670
摘要(
1778 )
PDF(467KB)(
764
)
采用溶胶-凝胶颗粒包覆技术在Ph(Zn1/3Nb3/3)O3基因溶体颗粒表面形成一层低熔硼硅包覆物,以包覆后的两种固溶体为高低温组元制备复相陶瓷.结果表明;颗粒包覆物可显著降低复相陶瓷的烧结温度,并有效抑制两相固溶反应,获得了低烧结温度、高介电常数、具有X7R温度特性的Ph(Zn1/3Nb2/3)O3基复相陶瓷
|
|
多层片式电感器用NiCuZn铁氧体的低温烧结
何新华,熊茂仁,凌志远,丘其春
1999 Vol. 14 (1): 7177
摘要(
1998 )
PDF(427KB)(
779
)
本文利用Bi2O3作为烧结促进剂实现了NiCuZn铁氧体在900℃以下烧结.利用TG、DTA、DDTA等分析手段研究Bi2O3的低温烧结机理,并确定最佳烧结温度范围在840~900℃之间.X-ray分析结果表明:加入Bi2O3后生成另相化合物Bi36Fe2O57烧结后期少量Fe的固溶有助于稳定高温γ-Bi2O3相的立方结构,避免了冷却过程中的晶型转变.Bi36Fe2O57另相的存在能有效地阻止晶粒长大,从而达到改性的目的.
|
|
Al对热压MoSi2材料显微结构的影响
李建林,江东亮,谭寿洪
1999 Vol. 14 (1): 7882
摘要(
1775 )
PDF(413KB)(
839
)
本文研究了添加Al对热压MoSi2材料显微结构的影响,提出了过渡气相烧结的概念.结果表明,Al可消除纯MOSi2材料中的SiO2相,生成Al2O3颗粒.Al原子的扩散引起MOSi2晶格膨胀.由于Al蒸汽排除了孤立气孔内影响烧结的残留气体,从而降低了烧结体的气孔率,同时,MOSi2晶格畸变也促进了烧结.Al粉添加量为3.5Wt%时气孔率最低.
|
|
微乳液法纳米SnO2材料的合成、结构与气敏性能
潘庆谊,徐甲强,刘宏民,安春仙,贾娜
1999 Vol. 14 (1): 8389
摘要(
2048 )
PDF(473KB)(
1088
)
本文研究了由阴离子表面活性剂组成的微乳液在纳米SnO2气敏材料合成中的应用,研究了阴离子表面活性剂类型及肋表面活性剂对纳米SnO2材料平均晶粒度的影响.实验结果表明:由AES或K12和丁醇组成的微乳液可得到平均颗粒尺寸<20nm,平均晶粒度只有6nm左右的均分散SnO2,用这种材料制成的气敏元件无需掺杂即具有较高的气体灵敏度.
|
|
粘土的层间交联和多孔材料的形成条件
戴劲草,萧子敬,叶玲,黄继泰
1999 Vol. 14 (1): 9094
摘要(
1784 )
PDF(303KB)(
1060
)
本文利用XRD、IR等方法研究2:1型的蒙脱石粘土矿物和聚合羟基铝交联剂的层间交联作用,并对多孔粘土材料的形成条件及过程作初步探讨.结果表明,交联剂浓度、交联温度和洗涤方式等制备条件对多孔粘土材料的形成有较大的影响,稀浓度的交联剂溶液对材料的形成较为有利,交联过程是双向可逆的.
|
|
柱撑蒙脱石的微结构变化研究
吴平霄,张惠芬,郭九皋,王辅亚,刘小勇
1999 Vol. 14 (1): 95100
摘要(
1819 )
PDF(351KB)(
1074
)
制备了柱撑蒙脱石,并运用27Al核磁共振谱等技术对柱化溶液中的Al的状态进行了研究,运用X射线定向衍射技术、红外光谱、差热、热重分析及原子力显微镜等技术对往化粘土中Keggi结构的作用及热稳定性进行了研究.结果表明,AlCl3溶液在[OH-]/[Al3+]=2.4时水解生成的Kegin离子最多.柱撑蒙脱石层间距在自然状态下为2.53um,300℃灼烧后层间距稳定在1.83um,具有较好的热稳定性.
|
|
溶胶-凝胶法制备BaxSr1-xTiO3热释电陶瓷材料
曾华荣,霍翠凤,姚春华,金绮华,孙大志,林盛卫
1999 Vol. 14 (1): 101106
摘要(
1692 )
PDF(444KB)(
840
)
采用Sol-Gel工艺制备了不同组成BaxSr1-xTiO3(BST)粉体,利用FT-IR、DTA、XRD等技术分析了溶胶-凝胶反应转变机理及凝胶热处理过程中的相结构变化情况,同时对材料的烧结条件及材料的居里温度与其组成关系进行了研究.结果表明:获得的BST粉体颗粒度较细,其合成温度及烧结温度分别为930℃及1320℃,均低于传统工艺的相应温度;BST烧结体的晶粒尺寸从10μm降低到5μm;各组成的介电常数均有较大的提高,平均约提高20%左右;最低损耗值可达0.0025;材料的热释电系数值可达到20×10-8C/cm2·K,比常用热释电陶瓷材料高出4倍以上.
|
|
溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响
曾晟,丁爱丽,仇萍荪,何夕云,罗维根
1999 Vol. 14 (1): 107113
摘要(
1995 )
PDF(268KB)(
845
)
采用射频磁控溅射工艺,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用PZT(53/47)陶瓷靶制备铁电薄膜.用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理.薄膜的相结构由XRD确定.通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度,研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响.实验表明,在不同的溅射气氛和衬底温度条件下,薄膜会经历不同的相变过程.用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能,在外加电压为5V时,Pr=14.6μC/cm2,Ec=82.gkV/cm.
|
|
含氮体系CVD低压金刚石薄膜淀积条件
刘志杰,张卫,张剑云,万永中,王季陶
1999 Vol. 14 (1): 114118
摘要(
1792 )
PDF(277KB)(
743
)
根据非平衡热力学耦合模型理论首次计算得到了碳氢氮体系的金刚石生长的非平衡定态相图与近几年在国际上发表的该体系实验结果相符合,可以为今后的实验研究提供定量化的理论依据.根据理论相图讨论了系统压力和体系中氮的添加对金刚石薄膜淀积条件的影响.
|
|
MOD制备的PZT薄膜的相结构发展和成分分析
包定华,吴小清,张良莹,姚熹
1999 Vol. 14 (1): 119126
摘要(
1961 )
PDF(578KB)(
835
)
采用MOD工艺制备了PZT薄膜,利用XRD和TEM研究了焦绿石相向钙钛矿相的转变过程.制备在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的PZT薄膜,其XRD分析显示焦绿石相在600℃完全转变为钙钛矿相;与之相比,Pt箔上无支持的PZT薄膜,其TBM分析表明PZT焦绿石相完全转变为钙钛矿相的温度更高,且与薄膜的厚度有关.XPS研究表明,薄膜表面含有化学吸附氧和污染碳,无其它杂质存在.表面富含少量Pb,其Zr/Ti比与化学计量比一致,但晶格中缺氧.
|
|
等离子喷涂碳化硼涂层相组成和电学性能研究
曾毅,张叶方,黄静琪,丁传贤
1999 Vol. 14 (1): 127132
摘要(
1946 )
PDF(281KB)(
1081
)
采用大气等离子喷涂,在不同喷涂距离下制备了碳化硼涂层,研究了喷涂距离对碳化硼涂层的显微结构、相组成和电导率的影响.用EDS和XPS分析了涂层的相组成;扫描电镜观察涂层的显微结构;标准四探针法测量涂层的电导率.结果表明,喷涂距离不仅会影响碳化硼涂层的显微结构,而且会改变碳化硼涂层的相组成;等离子喷涂碳化硼涂层的表面电导率随温度的增加而增加,表现出明显的半导体特性;涂层表面电导率同相组成和显微结构密切相关,涂层中B2O3相含量越高,气孔率越大,则涂层的电导率越低.
|
|
溶胶-凝胶法制备SiO2-TiO2复合薄膜的抗刻蚀能力研究
翟继卫,张良莹,姚熹
1999 Vol. 14 (1): 133137
摘要(
1865 )
PDF(193KB)(
859
)
采用Sol-Gel工艺制备SiO2-TiO2复合薄膜,研究在不同温度下薄膜对HF缓冲溶液的刻蚀能力.薄膜经800℃热处理的刻蚀速率是200℃热处理的1/1000倍,利用这种差异,在薄膜上用激光进行致密化处理,从而形成所需的图形.由XRD和FT-IR光谱分析对造成这种刻蚀能力差异的原因进行了解释、讨论.显微Raman光谱揭示出薄膜经激光处理后,其致密化区域具有不同的晶化特征.说明激光光束的能量分布对其扫描区域的析晶分布有一定的对应关系.
|
|
热障涂层热震失效寿命定量计算的研究
王引真,孙永兴,鄢君辉,郑修麟,阎国超
1999 Vol. 14 (1): 138142
摘要(
2175 )
PDF(270KB)(
914
)
研究了热障涂层的热震失效,认为涂层热震失效的本质为应力疲劳失效.建立了涂层热震失效寿命理论计算公式,并用实验结果对公式进行了验证,证明公式能很好地拟合实验结果.提出了评价涂层抗热震性能的指标-临界热震温差范围△Tc.该工作为估算涂层寿命及减少实验工作量提供了理论依据.
|
|
景德镇青花瓷彩上斑点显微结构的研究
吴隽,李家治,郭景坤
1999 Vol. 14 (1): 143149
摘要(
2075 )
PDF(562KB)(
1046
)
通过对元代、明洪武及明宜德年间的景德镇青花瓷样品彩上斑点的显微结构和组成分析,研究了斑点的形成机理和组成,表明青花瓷彩上斑点是由青花钴料中的锰、铁、钴,经高温过程后,在釉熔体中的偏析所形成的,其物像组成,除主要取决于青花钴料中的锰、铁含量外,样品的胎、釉组成及烧成机制等也影响着铁的价态.
|
|
纳米Y2O3:Eu3+粉体的表面包膜处理
李强,高濂,严东生
1999 Vol. 14 (1): 150154
摘要(
1657 )
PDF(376KB)(
932
)
本文采用高分子网络凝胶法制备了粒径约为20nm的纳米Y2O3:Eu3+粉体,并采用KAl(SO4)2及Na2SiO3溶液进行表面包膜处理,在纳米Y2O3:Eu3+粉体表面获得了约2nm厚的复合氧化物膜,发现包膜处理对纳米Y2O3:Eu3+粉体分散性能及表面结构有明显的影响.
|
|
用于高温光学实时观察的磁场装置
金蔚青,袁晖,潘志雷,刘照华,梁歆桉
1999 Vol. 14 (1): 155160
摘要(
1641 )
PDF(519KB)(
813
)
最近在我们实验室里建立了一套加磁场高温光学实时观察装置.作为磁场发生器的电磁铁,在发热体中心最高可产生0.14T的侧向磁场.运用这套加磁场实时观察装置,能有效地阻抑KNbO3熔体内的重力对流,减少界面边界层厚度.
|
|
醇-水溶液加热法制备纳米氧化锆粉体
李蔚,高濂,郭景坤
1999 Vol. 14 (1): 161164
摘要(
1869 )
PDF(323KB)(
781
)
本研究采用了一种新颖的粉体制备方法-醇-水溶液加热法来制备纳米ZrO2(Y2O3)粉体.实验结果表明:通过选择适当的条件,该方法可制得粒径小、团聚少的纳米ZrO2(Y2O3)粉体.与通常的共沉淀法相比。该方法制得的粉体因形成一种“包裹”结构,使得单斜相含量随煅烧温度的升高而减少,从而更有利于烧结.
|
|
含成形剂的纳米微晶ZrO2粉末压形规律的研究
蒋阳,许煜汾
1999 Vol. 14 (1): 165169
摘要(
1605 )
PDF(351KB)(
899
)
本文对管道反应制备的纳米微晶ZrO2(Y2O33mol%)粉末的模压数据进行处理.结果表明,该ZrO2粉末压形规律遵循黄培云压形方程.根据黄培云压形方程计算出纳米微晶ZrO2陶瓷粉体的压制模量为11.9~12.7MPa,压制过程的非线性指数为7.15.成形剂量的增加将降低粉末体的压制模量,而其非线性指数却保持不变.结合ZrO2压坯的孔隙、孔径测定,分析得出纳米微晶ZrO2粉末理想的成形压力范围应在40-140MPa;这为纳米微晶ZrO2粉末压形提供了理论基础.
|
|
纳米TiO2的光学特性及烧结行为
王浚,高濂,宋哲
1999 Vol. 14 (1): 170174
摘要(
1634 )
PDF(420KB)(
852
)
采用钛酸丁酯[Ti(OC4H9)4]水解法制备了纳米TiO2粉体,通过制备过程工艺参数的控制,获得了不同粒径和形貌的粉料.光反射谱研究表明,纳米TiO2的吸收线系限与粉体的粒径和相结构密切相关;在30MPa和850℃进行热压烧结,得到了相对密度为93.3%,颗粒大小为200um左右的TiO2块体.
|
|
添加Y-Li-Ca系统的AlN陶瓷的低温烧结
徐笑雷,李文兰,庄汉锐,徐素英,李敏中
1999 Vol. 14 (1): 175179
摘要(
1906 )
PDF(352KB)(
883
)
本文探索了以自蔓延高温(SHS)法合成并经抗水化处理的AlN粉为原料,添加YLiO2-CaF2/YLiO2-CaCO3的AlN陶瓷的低温烧结.研究表明,YLiO2-CaF2/YLiO2-CaCO3是有效的低温烧结助剂,添加5wt%YLiO2和0.5wt%CaF2。,在1675℃下保温6h可得到密度为3.29g/cm3、热导率为97w/m.K的中等性能的AlN陶瓷.同时对YLiO2-CaF2、YLiO2-CaCO3两种添加剂系统进行了对比研究.结果表明,在同样的烧结条件下,前者对AlN陶瓷的低温烧结更为有利.
|
|
退火处理对铅基弛豫型铁电体介电、压电性能的影响
夏峰,姚熹
1999 Vol. 14 (1): 180184
摘要(
1845 )
PDF(350KB)(
904
)
铅基弛豫型铁电体的峰值介电常数和压电性能在退火后有较大提高.在PMN-PT陶瓷中,kp由58%提高到66%,峰值介电常数由30900提高到37200,d33达到530pC/N.在PZN-PT-BT陶瓷中,kp由35%提高到51%,峰值介电常数km由11400提高到29000,d33由347PC/N提高到624pC/N.这种改善可能与晶界玻璃相的消除以及畴壁运动等因素有关
|
|
Ca-α-Sialon的反应致密化
周艳平,庄汉锐,温树林
1999 Vol. 14 (1): 185188
摘要(
1819 )
PDF(323KB)(
820
)
本文通过反应热压制备了单相Ca-α-Sialon材料,研究了Ca-α-Sialon形成的反应致密化过程.不同温度下产物的XRD结果表明,1250℃样品开始软化,1300℃时体系中反应形成了钙铝黄长石相,1500℃时钙铝黄长石重新溶解于液相中,同时形成了Ca-α-Sialon,1600℃时反应完全,原料中各相完全消失,形成了单相Ca-α-Sialon.不同温度下产物的密度表明,伴随着上述反应形成过程,材料经过颗粒重排、溶解-反应-沉淀过程和晶粒生长三个阶段,通过液相烧结达到了致密化.
|
|
等离子体源离子渗氮合成硼碳氮薄膜的研究
雷明凯,袁力,张仲麟,马腾才
1999 Vol. 14 (1): 189192
摘要(
1720 )
PDF(239KB)(
884
)
采用等离子体源离子渗氮,即低能(1-3keV)、超大剂量(1019~1020ions.cm-2)氮离子注入-同步热扩散技术,在300~500℃处理碳化硼薄膜,合成了硼碳氮三元薄膜.俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明,合成的硼碳氮薄膜是碳硼比固定,氮含量可控的非晶态薄膜.300℃渗氮的薄膜由sp~2型的硼、碳、氮微区构成,而500℃渗氮的薄膜则由sp3和sp2型复合的微区组成.较高的渗氮工艺温度促进sP3型结构的形成,渗氮工艺时间对薄膜结构的影响不显著.
|
|