|
新型GaN与ZnO衬底ScAlMgO4晶体的研究进展
张超逸, 唐慧丽, 李宪珂, 王庆国, 罗平, 吴锋, 张晨波, 薛艳艳, 徐军, 韩建峰, 逯占文
2023 Vol. 38 (3): 228242
摘要(
1017 )
HTML(
84)
PDF(11156KB)(
772
)
二十一世纪以来, 以氮化镓(GaN)和氧化锌(ZnO)为代表的第三代宽禁带(Eg>2.3 eV)半导体材料正成为半导体产业发展的核心支撑材料。由于GaN与ZnO单晶生长难度较大, 成本较高, 常采用外延技术在衬底材料上生长薄膜, 因此寻找理想的衬底材料成为发展的关键。相比于传统的蓝宝石、6H-SiC、GaAs等衬底材料, 铝镁酸钪(ScAlMgO4)晶体作为一种新型自剥离衬底材料, 因其与GaN、ZnO具有较小的晶格失配(失配率分别为~1.4%和~0.09%)以及合适的热膨胀系数而备受关注。本文从ScAlMgO4晶体的结构出发, 详细介绍了其独特的三角双锥配位体结构与自然超晶格结构, 这是其热学性质与电学性质的结构基础。此外, ScAlMgO4晶体沿着c轴的层状结构使其具有自剥离特性, 大大降低了生产成本, 在制备自支撑GaN薄膜方面具有良好的市场应用前景。然而ScAlMgO4原料合成难度较大, 晶体生长方法单一, 主要为提拉法, 且与日本存在较大的差距, 亟需开发新的高质量、大尺寸ScAlMgO4晶体的生长方法来打破技术壁垒。
|
|
GaN单晶的HVPE生长与掺杂进展
齐占国, 刘磊, 王守志, 王国栋, 俞娇仙, 王忠新, 段秀兰, 徐现刚, 张雷
2023 Vol. 38 (3): 243255
摘要(
1098 )
HTML(
43)
PDF(9427KB)(
892
)
相比于第一代和第二代半导体材料, 第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙, 更适用于制备高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器件和发光器件。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表之一, 是制作蓝绿激光、射频微波器件和电力电子器件的理想衬底材料, 在激光显示、5G通信、相控阵雷达、航空航天等领域具有广阔的应用前景。氢化物气相外延(Hydride vapor phase epitaxy, HVPE)方法因生长设备简单、生长条件温和和生长速度快而成为制备GaN晶体的主流方法。由于普遍使用石英反应器, HVPE法生长获得的非故意掺杂GaN不可避免地存在施主型杂质Si和O, 使其表现出n型半导体特性, 但载流子浓度高和导电率低限制了其在高频大功率器件中的应用。掺杂是改善半导体材料电学性能最普遍的方法, 通过掺杂不同掺杂剂可以获得不同类型的GaN单晶衬底, 提高其电化学特性, 从而满足市场应用的不同需求。本文介绍了GaN半导体晶体材料的基本结构和性质, 综述了近年来采用HVPE法生长高质量GaN晶体的主要研究进展; 对GaN的掺杂特性、掺杂剂类型、生长工艺以及掺杂原子对电学性能的影响进行了详细介绍。最后简述了HVPE法生长掺杂GaN单晶面临的挑战和机遇, 并展望了GaN单晶的未来发展前景。
|
|
多尺度晶体材料的原位表征技术与计算模拟研究进展
陈昆峰, 胡乾宇, 刘锋, 薛冬峰
2023 Vol. 38 (3): 256269
摘要(
603 )
HTML(
37)
PDF(10790KB)(
590
)
大尺寸晶体材料是半导体、激光、通讯等领域的基础原料, 大尺寸、高品质晶体材料的制备已成为制约相关行业发展的瓶颈。我国面临的“卡脖子”技术中大多与关键基础材料相关。大尺寸晶体材料制备理论与技术是我国新材料产业高质量发展的一个重要方面, 也是提升相应高技术产业的基础, 突破大尺寸晶体材料的制备理论和技术是获得高品质大尺寸晶体材料的关键。探究并准确理解大尺寸晶体生长机理需要借助原位表征技术和多尺度计算模拟方法。单一的原位表征和模拟技术只能探究特定时间和空间范围内的结晶信息, 为了准确反映结晶过程需要综合应用多种方法。本文综述了最新的多尺度晶体生长研究的原位表征方法、多尺度计算模拟技术以及机器学习方法, 为发展结晶理论和控制晶体品质提供重要的实验和理论依据, 并将为提升大尺寸晶体生长工艺的开发而服务。
|
|
Zintl相Mg3X2(X=Sb, Bi)基晶体生长及热电性能研究进展
林思琪, 李艾燃, 付晨光, 李荣斌, 金敏
2023 Vol. 38 (3): 270279
摘要(
1014 )
HTML(
32)
PDF(2921KB)(
612
)
Zintl相Mg3X2(X= Sb, Bi)基热电材料以其无毒性、价格低及性能高等优点而备受关注。与多晶相比, Mg3X2晶体在揭示材料本征热电性能、各向异性性质及电声输运调控策略等方面极具研究价值。本文系统归纳与总结近年Mg3X2基晶体的生长及热电性能发展现状。针对Mg3X2晶体生长过程中Mg元素易挥发和活泼金属性的难点, 多种技术如合适的温度冷却法、定向凝固法、助熔剂法、助熔剂坩埚下降法等被开发运用于生长Mg3X2晶体, 其中助熔剂坩埚下降法在获得大尺寸块状晶体方面更有竞争力。n型和p型Mg3Sb2晶体都呈现出各向异性的热电性能。调控晶体生长速度、Mg元素自补偿含量、杂质元素掺杂与固溶含量等手段, 都会影响Mg3X2晶体的电学性能和热学性能。目前p型和n型Mg3Sb2基晶体的最高ZT值可分别达到0.68和0.82。本文综述了Zintl相Mg3X2基晶体生长与热电性能的研究进展, 发现助熔剂坩埚下降法是制备大尺寸Mg3X2基晶体的关键, 通过元素掺杂及固溶方法调控载流子浓度和能带结构可以进一步提高Mg3X2基晶体性能。该生长方法和研究思路对将来Mg3X2基晶体制备与热电性能深入研究具有重要指导意义。
|
|
坩埚下降法生长大尺寸Bi12GeO20晶体的宏观缺陷
齐雪君, 张健, 陈雷, 王绍涵, 李翔, 杜勇, 陈俊锋
2023 Vol. 38 (3): 280287
摘要(
447 )
HTML(
35)
PDF(14815KB)(
400
)
Bi12GeO20晶体是一种多功能光电材料, 在可见光范围内具有高速光折变响应, 以及良好的压电、声光、磁光, 旋光和电光等性能。目前, 提拉法生长Bi12GeO20晶体, 存在生长成本高、晶锭形状不规则、生长产率低、晶体光学质量差和有效晶体截面小等问题。本研究率先采用改进的坩埚下降法, 在铂金坩埚和空气气氛中生长大尺寸Bi12GeO20晶体。通过各种分析测试方法研究生长获得的Bi12GeO20晶体中宏观缺陷的形态、分布和成分构成, 探讨了晶体生长过程中主要宏观缺陷的形成过程和成因。坩埚下降法生长的Bi12GeO20晶体存在两种主要宏观缺陷:枝蔓状和管状包裹体。其中, 枝蔓状包裹体与铂金溶蚀后的析晶相关, 而管状包裹体与铂金析出、接种界面不稳定性和温度波动有关。本研究提出了消除坩埚下降法生长晶体中宏观缺陷的技术途径, 通过降低生长控制温度、缩短高温熔体保持时间和优选籽晶等措施, 可重复地生长光学质量良好、55 mm× 55 mm× 80 mm的大尺寸Bi12GeO20晶体, 显著提升晶体的光学透过性能。
|
|
热交换坩埚下降法制备大尺寸氟化铈晶体的热场设计与优化
穆宏赫, 王鹏飞, 施宇峰, 张中晗, 武安华, 苏良碧
2023 Vol. 38 (3): 288295
摘要(
439 )
HTML(
19)
PDF(3919KB)(
348
)
随着CeF3晶体在激光和磁光领域应用的持续发展, 大尺寸、高光学质量的CeF3单晶的需求日益急迫, 而CeF3熔体的高黏度和低热导率的特性给晶体生长工艺带来了较大挑战。为研究CeF3熔体低导热性引发的生长问题, 探究其生长过程中炉体结构和工艺参数对温度分布和结晶界面的影响机制, 本工作对热交换坩埚下降法(Heat Exchanger-Bridgman method, HEB)生长大尺寸(ϕ80 mm)CeF3晶体中炉体结构与晶体/熔体温度分布关系、不同生长阶段界面的变化规律以及热场结构对生长界面的作用机制开展了数值模拟研究。研究结果表明:当发热体长度与坩埚长度相适应时,更有利于构建合理的温度梯度场, 而放肩和等径生长阶段的凹界面问题则可以通过改变隔板形状和加反射屏调节坩埚壁温度分布得到有效解决。本研究成果不仅可以加深对CeF3晶体结晶习性的理解, 炉体结构和生长界面的优化思路对坩埚下降法制备其他晶体同样有实际指导意义。
|
|
面向磁光应用的CeF3晶体生长与性能表征
吴振, 李慧芳, 张中晗, 张振, 李阳, 蓝江河, 苏良碧, 武安华
2023 Vol. 38 (3): 296302
摘要(
461 )
HTML(
32)
PDF(2806KB)(
396
)
随着高功率激光和光通信技术的迅速发展, 如何消除光学系统内部产生的反射噪声是一个至关重要的问题。磁光隔离器是依据法拉第效应设计而成的磁有源器件, 能够有效隔离大部分反射光以保证光学系统稳定工作, 而法拉第磁光材料作为磁光隔离器的核心部件, 其研究和应用推动了磁光隔离器的更新与发展。CeF3晶体具有高透过率、宽透过区间和高Verdet常数等优点, 近年来获得了广泛关注, 但是其传统生长方法存在成本高、周期长等缺点。本研究通过坩埚下降生长技术, 优化温场结构和生长工艺, 采用多孔坩埚成功获得多根CeF3晶体。与商用TGG(Tb3Ga5O12)晶体相比, CeF3晶体的透过率得到明显提高, 最高达到92%, 并且在近红外波段两者的Verdet常数相当。CeF3晶体的比热较高, 表明晶体拥有较强的抗热冲击能力和较高的抗激光损伤能力。本研究使用多孔坩埚技术生长CeF3晶体, 实现了规模化和低成本生产; 生长的CeF3晶体物理性能优良, 具有应用于近红外波段磁光隔离器的巨大潜力。
|
|
等离子体聚集装置下的高能量密度单晶金刚石快速生长研究
李一村, 刘雪冬, 郝晓斌, 代兵, 吕继磊, 朱嘉琦
2023 Vol. 38 (3): 303309
摘要(
694 )
HTML(
22)
PDF(2014KB)(
377
)
单晶金刚石是一种性能优异的晶体材料, 在先进科学领域具有重要的应用价值。在微波等离子体化学气相沉积(Microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD)单晶金刚石生长中, 如何提高晶体的生长速率一直是研究者们关注的重点问题之一, 而采用高能量密度的等离子体是提高单晶金刚石生长速率的有效手段。在本研究中, 首先通过磁流体动力学(Magnetohydrodynamic, MHD)模型仿真计算, 优化设计了特殊的等离子体聚集装置; 随后基于模拟结果进行生长实验, 采用光谱分析和等离子体成像对等离子体性状进行了研究, 制备了单晶金刚石生长样品; 并通过光学显微镜、拉曼光谱对生长样品进行测试。模拟结果显示, 聚集条件下的核心电场和电子密度是普通条件下的3倍; 生长实验结果显示, 在常规的微波功率(3500 W)、生长气压(18 kPa)下得到的高能量密度(793.7 W/cm3)的等离子体与模型计算结果吻合。高能量密度生长条件并不会对生长形貌产生较大影响, 但加入一定量氮气能够显著改变生长形貌, 并对晶体质量产生影响。采用这种方法, 成功制备了高速率(97.5 μm/h)单晶金刚石。不同于通过增大生长气压来获得高能量密度的途径, 本研究在常规的生长气压和微波功率下也可以生长高能量密度单晶金刚石。
|
|
ACRT技术对大尺寸ZnTe晶体溶液法制备及其性能影响
孙晗, 李文俊, 贾子璇, 张岩, 殷利迎, 介万奇, 徐亚东
2023 Vol. 38 (3): 310315
摘要(
368 )
HTML(
25)
PDF(3045KB)(
300
)
太赫兹(Terahertz, THz)技术在工业无损检测、科学研究和军事领域发挥着越来越重要的作用。作为太赫兹产生和探测最常用的电光晶体材料, ZnTe晶体在生长中依然面临众多挑战。为了制备大尺寸、均匀性好、高性能的ZnTe单晶, 本研究在温度梯度溶液法生长ZnTe晶体过程中引入坩埚旋转加速技术, 制备具有高结晶质量的ZnTe晶体。模拟计算得到不同坩埚旋转速度下生长界面处对流场和溶质分布, 研究了坩埚旋转对晶体生长过程中的固液界面稳定性和晶体内Te夹杂分布的影响规律, 证明坩埚旋转加速技术可以有效地促进熔体流动, 改善溶质传质能力, 稳定溶液法晶体生长的固液界面, 不仅避免出现尾部混合相区, 也减少了ZnTe晶体内Te夹杂相的数量并减小其尺寸。通过进一步优化坩埚旋转参数, 制备出具有较高结晶质量的大尺寸ZnTe晶体(ϕ60 mm)。同时, 得益于晶体良好的均匀性, 晶体对太赫兹的高响应区域超过90%, 边缘效应小, 满足太赫兹成像要求。研究表明,引入坩埚旋转加速技术为制备大尺寸ZnTe基电光晶体提供了新的思路。
|
|
提拉法下Yb:YAG单晶缺陷的正电子湮没研究
石小兔, 张庆礼, 孙贵花, 罗建乔, 窦仁勤, 王小飞, 高进云, 张德明, 刘建党, 叶邦角
2023 Vol. 38 (3): 316321
摘要(
396 )
HTML(
11)
PDF(571KB)(
301
)
为满足固体激光器的应用需求, 研究人员不断改进YAG激光晶体生长技术, 其中控制 YAG中的缺陷结构对于晶体的生长尤为重要。本工作对提拉法两种工艺制备的晶体样品进行了缺陷研究, 特别是晶体散射点的起源。正电子湮没技术是一种对材料微观结构十分灵敏且有效的核物理技术分析表征手段, 对空位缺陷、微孔等极为敏感。根据正电子湮没寿命谱与多普勒展宽谱的分析结果, 无论工艺、有无散射点, 样品的正电子寿命及多普勒展宽线性参数均存在差异。这说明晶体主要缺陷是YAG结构中的本征缺陷, 散射点可能是空位团聚引起的纳米微孔, 研究表明该技术可以灵敏地表征YAG晶体散射点。正电子湮没实验反映的晶体单晶质量差异与X射线衍射、单晶摇摆曲线、光透过率以及位错密度结果吻合。在研究晶体的物理性能和缺陷与材料微结构的关系上正电子湮没技术具有独特的技术优势, 同时正电子湮没技术可以在微观尺度上有效反映晶体质量。
|
|
顶部籽晶法生长大尺寸、高品质钇铁石榴石晶体
杨晓明, 蓝江河, 魏占涛, 苏榕冰, 李阳, 王祖建, 刘颖, 何超, 龙西法
2023 Vol. 38 (3): 322328
摘要(
810 )
HTML(
18)
PDF(1654KB)(
521
)
钇铁石榴石(Y3Fe5O12, YIG)晶体具有优异的磁学和磁光性质, 在微波和磁光器件中有着广泛的应用。目前商用的磁光材料是采用液相外延技术在Gd3Ga5O12(GGG)衬底上沉积的YIG单晶薄膜。本研究以无铅B2O3-BaF2为复合助熔剂, 采用顶部籽晶法技术(TSSG)生长YIG单晶材料, YIG晶体尺寸和重量分别可达43 mm×46 mm×11 mm和60 g。该晶体具有较窄的铁磁共振线宽(0.679 Oe)、高透明度(75%)和法拉第旋转角(200 (°)·cm-1@1310 nm, 160 (°)·cm-1@1550 nm)等优异的综合性能, 是微波和磁光器件的良好候选材料。更为重要的是, 这种生长技术非常适合大尺寸YIG单晶或稀土掺杂YIG单晶, 结合定向籽晶生长和提升工艺, 可以显著降低生产成本。
|
|
大尺寸Er,Yb:YAG单晶的生长及其性能
王志强, 吴济安, 陈昆峰, 薛冬峰
2023 Vol. 38 (3): 329334
摘要(
640 )
HTML(
18)
PDF(1355KB)(
397
)
Er3+和Yb3+共掺杂的YAG晶体是一种非常重要的光学晶体, 目前, 该晶体已经广泛应用于高功率固体激光器, 但是采用提拉法生长大尺寸、低缺陷的掺杂YAG晶体仍然面临很多挑战。本工作采用快速提拉法成功获得了直径为80 mm、长度为230 mm的Er3+和Yb3+共掺杂的YAG单晶。采用不同测试方法评价其结构、掺杂浓度、光吸收、发光性能和刻蚀缺陷。晶片不同位置的拉曼峰峰位以及半峰宽没有明显变化, 说明晶片中心和边缘部分的晶体结构和应变是均匀的。刻蚀结果表明, 腐蚀坑均匀分布在整个腐蚀表面上, 没有观察到位错腐蚀坑特征, 这意味着晶体接近完美。Er3+和Yb3+在不同波长下的强发光峰以及辉光放电质谱结果证明Er,Yb:YAG单晶中成功掺杂了稀土离子。本工作采用提拉法成功生长了大尺寸、低缺陷的Er,Yb:YAG单晶, 证实了快速生长方法对YAG晶体中掺杂双稀土离子是有效的。
|
|
半密封直拉法生长6英寸磷化铟单晶热场研究
史艳磊, 孙聂枫, 徐成彦, 王书杰, 林朋, 马春雷, 徐森锋, 王维, 陈春梅, 付莉杰, 邵会民, 李晓岚, 王阳, 秦敬凯
2023 Vol. 38 (3): 335342
摘要(
481 )
HTML(
10)
PDF(6328KB)(
305
)
磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体材料。InP由于性能优异,在高频电子器件及红外光电器件领域的应用日趋增多。目前,磷化铟器件的价格远高于砷化镓器件,其主要原因是磷化铟单晶成品率低,以及晶圆尺寸较小造成外延和器件工艺成本居高不下。增大InP单晶的直径对降低晶圆及半导体工艺成本至关重要。制备大尺寸InP单晶的主要难点是提高晶体的成品率和降低晶体的应力。目前行业内通常使用垂直梯度凝固(Vertical gradient freeze, VGF)法和液封直拉(Liquid Encapsulated Czochralski, LEC)法制备InP。 VGF法在制备6英寸(15.24 cm)InP方面鲜有建树, LEC法制备的晶体往往具有更高的应力和位错密度。本研究展示了半密封直拉(Semi-Sealed Czochralski, SSC)法在生长大直径化合物半导体材料方面的优势,采用数值模拟方法分析了LEC法和SSC法中熔体、晶体、氧化硼和气氛中的温度分布,重点分析了SSC技术的温度分布。模拟结果中,SSC法晶体中的温度梯度为17.4 K/cm,明显低于LEC法中的温度梯度28.7 K/cm。在等径阶段SSC法晶体肩部附近气氛温度比LEC法高504 K。根据模拟结果对SSC法热场进行了优化后,本研究得到了低缺陷密度、无裂纹的6英寸S掺杂InP单晶,证实了SSC法应用于大尺寸InP单晶生长的优势。
|
|
高温退火对PVT法生长的AlN晶体质量的影响
俞瑞仙, 王国栋, 王守志, 胡小波, 徐现刚, 张雷
2023 Vol. 38 (3): 343349
摘要(
447 )
HTML(
19)
PDF(1901KB)(
329
)
在PVT法生长AlN晶体的过程中, 很难保持理想的热力学平衡状态, 不可避免地会产生晶体缺陷。高温退火技术对提高晶体完整性十分有效,受到了广泛关注。本工作在N2气氛环境下对PVT法生长的AlN晶片进行高温退火研究。为了评价退火前后AlN晶体的质量和结构变化情况, 进行了高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱分析。通过室温光致发光(PL)和吸收光谱对AlN晶体的光学性质以及与杂质相关的带隙变化情况进行了表征。在1400~1800 ℃退火后, AlN晶体质量显著提高。1400 ℃退火后, (10-12)晶面的X射线摇摆曲线的半峰宽(FWHM)从104.04 arcsec减小到79.92 arcsec。随着退火温度升高, 吸收性能明显增强, 带隙增大, 说明高温退火处理有利于提高AlN晶体的质量。二次离子质谱(SIMS)结果表明, 退火过程降低了C杂质, 增加了AlN晶体的带隙, 这与光吸收结果一致。
|
|
Dy3+: Y3Al5O12晶体的光谱与黄色激光性能
杨佳雪, 李雯, 王燕, 朱昭捷, 游振宇, 李坚富, 涂朝阳
2023 Vol. 38 (3): 350356
摘要(
337 )
HTML(
13)
PDF(857KB)(
256
)
近年来, 黄色激光晶体在激光显示、激光医疗、激光雷达(光探测和测距)、玻色-爱因斯坦凝聚、原子冷却和俘获等领域具有广泛的应用, 吸引了研究人员极大的兴趣。随着蓝光LD泵浦源的商用化, 直接泵浦Dy3+掺杂激光晶体可输出黄色激光, 对应4F9/2→6H13/2跃迁。本工作采用提拉法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.5%、1.0%、2.0%、3.0%和4.0%(原子分数)的Dy3+: Y3Al5O12(Dy:YAG)晶体, 并分析了晶体开裂的原因。基于Judd-Ofelt理论计算了J-O强度参数, 并利用其评估了不同掺杂浓度的Dy:YAG晶体的其它激光参数。综合讨论了Dy3+掺杂浓度对荧光分支比、受激发射截面、量子效率等光谱性能的影响。在五个晶体样品中, 1.0%Dy: YAG晶体在447 nm激发下实现了582 nm最大的受激发射截面值和最强的荧光强度值, 荧光寿命较长, 达到0.823 ms。与之相比, 2.0%Dy: YAG晶体发射参数值略低, 但是其吸收系数更大。研究结果表明, 激光二极管泵浦的Dy:YAG黄色激光晶体中Dy3+离子的浓度为1.0%和2.0%较为合适, 并基于2.0%Dy: YAG晶体实现了连续黄色激光输出, 最大功率为166.8 μW, 激光峰值波长为582.5 nm。
|
|
0.6%Pr, x%La:CaF2的发光性能研究和Judd-Ofelt分析
钱新宇, 王无敌, 宋青松, 董永军, 薛艳艳, 张晨波, 王庆国, 徐晓东, 唐慧丽, 曹桂新, 徐军
2023 Vol. 38 (3): 357362
摘要(
366 )
HTML(
8)
PDF(696KB)(
228
)
氟化钙(CaF2)是一种良好的激光材料基质, 具有较宽的透过范围(0.125~10 µm)、良好的导热性(9.71 W/(m·K))和低非线性效应系数。在Pr:CaF2晶体中, [Pr3+-Pr3+]团簇导致Pr3+离子在较低浓度下出现荧光猝灭现象。在CaF2中共掺入La3+离子有可能打破[Pr3+-Pr3+]团簇。本研究通过温度梯度法(Temperature Gradient Technique, TGT), 成功地生长了一系列共掺入不同浓度La3+离子的Pr:CaF2晶体。在室温下采用X射线粉末衍射、吸收光谱、荧光光谱和荧光衰减寿命对Pr, La:CaF2晶体进行表征。Pr:CaF2晶体共掺入La3+离子后仍具有立方晶体结构。3P0→3H6(604 nm)和3P0→3F2(640 nm)处的最大受激发射截面分别为1.36×10-20和3.18×10-20 cm2, 半峰宽分别为17.0和 3.8 nm。随着La3+离子掺杂含量的增加, 3P0→3H6(604 nm)处的半峰宽从15.84增加到18.53 nm。0.6%Pr,10%La:CaF2 (原子分数)的最大荧光寿命和光谱质量因子分别为45.82 μs和145.8×10-20 cm2·μs。上述结果表明: [Pr3+-Pr3+]离子淬灭团被打破, Pr, La:CaF2晶体是潜在的激光增益材料, 可应用于橙红色激光领域。
|
|
导模法生长大尺寸蓝宝石板材技术取得重要突破
王东海, 李东振, 徐军
2023 Vol. 38 (3): 363364
摘要(
417 )
HTML(
13)
PDF(790KB)(
258
)
蓝宝石晶体具有高硬度、高机械强度, 且在紫外-可见波段优异的透过率, 是优秀的红外窗口和透明装甲材料。导模法生长的蓝宝石板材尺寸和形状接近“近净型”, 将加工的成本降到极低。南京同溧晶体材料研究院有限公司近期采用导模法成功生长出尺寸为415 mm×810 mm×12 mm的蓝宝石单晶板材。
|
|