掺杂对PMN铁电陶瓷烧结工艺和介电性能的影响

无机材料学报

掺杂对PMN铁电陶瓷烧结工艺和介电性能的影响

杨毅; 冯楚德; 姚文龙; 喻佑华

中国科学院上海硅酸盐研究所功能陶瓷研究与发展工程中心上海 200050

收稿日期:2000-12-27 修回日期:2001-03-12 出版日期:2002-01-20 网络出版日期:2002-01-20

Effects of Doping on Sintering Process and Dielectric Properties of PMN Ceramics

YANG Yi; FENG Chu-De; YAO Wen-Long; YU You-Hua

Functional Ceramics Research and Development Engineering Center; Shanghai Institute of Ceramics; Chinese Academy of Sciences; Shanghai 200050; China

Received:2000-12-27 Revised:2001-03-12 Published:2002-01-20 Online:2002-01-20

摘要/Abstract

摘要： 使用常用的两步法，研究了基体掺杂不同物质对ＰＭＮ陶瓷的烧结工艺和介电性能的影响．经研究发现，当掺杂１ｍｏｌ％Ｌｉ_２Ｏ时，可以实现９５０～１０００℃左右的中温烧结，材料的常温介电常数和介电损耗分别为１３５００和０．５５％，都优于纯ＰＭＮ．当掺杂２ｍｏｌ％时，可以将烧结温度降到８００～９００℃的低温烧结范围，且介电损耗明显下降．分析结果表明；材料的显微结构良好，材料的致密化程度较高．另外，掺加Ｌｉ_２Ｏ和ＳｒＯ可以分别稍微减小和增加材料的弥散相变程度．同时本文还研究了ＰＭＮ陶瓷的微观结构和介电弛豫的情况．

关键词: 铌镁酸铅, 烧结工艺, 掺杂, 介电

Abstract: Sintering process and dielectric properties were studied by adding a small amount of different dopants into PMN ceramics using normal two-step method. When doped
with 1mol% Li₂O, the sintering temperature of PMN can be reduced to 950～1000℃. The dielectric constant and loss tangent of this material are 13500 and 0.55%
respectively, which are better than those of pure PMN. When doped with 2mol% SrO, low temperature sintering about 800～900℃ can be attained while
its loss tangent at room temperature reduced to only 0.36%. Analysis results show that the materials have good microstructures and are highly condensed. Anyhow,
doped with Li₂O and SrO can slightly lower and enhance the extent of diffuse phase transition (DPT).

Key words: Pb（Mg_1/3Nb_2/3）O₃, sintering process, doping, dielectric

中图分类号:

O484

杨毅,冯楚德,姚文龙,喻佑华. 掺杂对PMN铁电陶瓷烧结工艺和介电性能的影响[J]. 无机材料学报.

YANG Yi,FENG Chu-De,YAO Wen-Long,YU You-Hua. Effects of Doping on Sintering Process and Dielectric Properties of PMN Ceramics[J]. Journal of Inorganic Materials.

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