硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

无机材料学报

硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

贾护军; 杨银堂; 朱作云; 李跃进

西安电子科技大学微电子研究所, 西安 710071

收稿日期:1999-03-26 修回日期:1999-06-21 出版日期:2000-02-20 网络出版日期:2000-02-20

Temperature Dependence of β-SiC Thin Films Epitaxial Grown on Si Substrates

JIA Hu-Jun; YANG Yin-Tang; ZHU Zuo-Yun; LI Yue-Jin

Microelectronics Institute; Xidian University; Xi an 710071; China

Received:1999-03-26 Revised:1999-06-21 Published:2000-02-20 Online:2000-02-20

摘要/Abstract

摘要： 采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降．

关键词: 外延生长, β－SiC薄膜, 淀积温度, 结晶度

Abstract: β-SiC thin films were heteroepitaxially grown on (100)Si substrates at a temperaturerange from 1000 to 1400℃ by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) process.Experimental results show that the epitaxial layers change from polycrystalline silicon into singlecrystal β-SiC state with the deposition temperature s increasing, but the growth rates of singlecrystal films decrease inversely.

Key words: epitaxial growth β-SiC films, deposition temperature, crystallinity

中图分类号:

O484

贾护军,杨银堂,朱作云,李跃进. 硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究[J]. 无机材料学报.

JIA Hu-Jun,YANG Yin-Tang,ZHU Zuo-Yun,LI Yue-Jin. Temperature Dependence of β-SiC Thin Films Epitaxial Grown on Si Substrates[J]. Journal of Inorganic Materials.

[1]	耿仁杰, 俄松峰, 李朝威, 李涛涛, 吴隽, 姚亚刚. 高结晶度氮化硼纳米片的制备及其与聚乙烯醇复合薄膜的性能[J]. 无机材料学报, 2019, 34(4): 401-406.
[2]	程艳玲, 索红莉, 刘敏, 马麟, 张腾. 硝酸盐法在Ni5W织构基带上外延生长La₂Zr₂O₇过渡层的研究[J]. 无机材料学报, 2011, 26(5): 481-485.
[3]	王霖, 田林海, 尉国栋, 高凤梅, 郑金桔, 杨为佑. 石墨烯外延生长及其器件应用研究进展[J]. 无机材料学报, 2011, 26(10): 1009-1019.
[4]	张继远,田汉民,田志鹏,王湘艳,于涛,邹志刚. TiO₂纳米晶溶胶水热的合成及其染料敏化光电性能[J]. 无机材料学报, 2009, 24(6): 1110-1114.
[5]	李享成,杨光,戴能利,陈爱平,龙华,姚凯伦,陆培祥. 脉冲激光沉积(La_0.2Bi_0.8FeO₃)_0.8-(NiFe₂O₄)_0.2薄膜及其多铁性能研究[J]. 无机材料学报, 2008, 23(5): 897-901.
[6]	张亦文,李效民,赵俊亮,于伟东,高相东,吴峰. 脉冲激光沉积法生长In掺杂SrTiO₃薄膜及其微观结构研究[J]. 无机材料学报, 2008, 23(3): 531-534.
[7]	吴莹,赵文济,孔明,黄碧龙,李戈扬. AlN/SiO₂纳米多层膜的超硬效应与高温抗氧化性[J]. 无机材料学报, 2008, 23(3): 562-566.
[8]	刘国钦,赖奇,李玉峰. 膨胀石墨的尺寸效应[J]. 无机材料学报, 2007, 22(5): 985-990.
[9]	孔明,岳建岭,李戈扬. 纳米多层膜中的非晶晶化与超硬效应[J]. 无机材料学报, 2006, 21(6): 1292-1300.
[10]	杨修春,DUBIEL M,HOFMEISTER H,RIEHEMANN W,黄文旻. 激光刻蚀工艺对Al₂O₃-ZrO₂固溶度和结晶度的影响[J]. 无机材料学报, 2006, 21(3): 677-682.
[11]	李金隆,李言荣,张鹰,邓新武,刘兴钊. BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究[J]. 无机材料学报, 2004, 19(5): 1207-1211.
[12]	肖慧明,王建明. Al含量对α-Ni(OH)₂结构及其电化学性能的影响[J]. 无机材料学报, 2004, 19(3): 463-470.