溶剂热法制备Cu2ZnSnS4粉末及其表征
周超, 冯清, 高延敏
江苏科技大学 材料科学与工程学院, 镇江 212003
通讯作者:高延敏, 教授. E-mail:764167308@qq.com

作者简介:周超(1988-), 男, 硕士研究生. E-mail:chaozhou0721@126.com

摘要

采用溶剂热法, 以CuCl2•2H2O、Zn(Ac)2•2H2O、SnCl4•5H2O作金属源, 硫脲作硫源, 乙二醇作溶剂, PVP作表面活性剂, 制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)粉末。利用XRD、SEM、Raman、TEM、EDS、UV-Vis吸收光谱探讨了反应温度和反应时间对制备CZTS粉末的相结构、成分、形貌以及光学性能的影响。结果表明: 反应温度和反应时间对CZTS粉末的颗粒形貌和光学性能影响较大, 最佳合成温度为230℃, 反应时间24 h。该条件下生成的CZTS粉末相较为纯净、结晶完全, 形貌为表面嵌有薄片的微球, 各元素原子比接近化学计量比, 光学带隙为1.52 eV, 与太阳能电池所需的最佳带隙接近。并对其形成机理进行了初步探讨。

关键词: Cu2ZnSnS4; 溶剂热法; 反应时间; 反应温度
中图分类号:TM651   文献标志码:A    文章编号:1000-324X(2014)05-0487-06
Synthesis and Characterization of Cu2ZnSnS4(CZTS) Powders by Solvothermal Method
ZHOU Chao, FENG Qing, GAO Yan-Min
School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, China
Abstract

Cu2ZnSnS4(CZTS) powderss were synthesized by a facile solvothermal method in ethylene glycol with the presense of polyvinylpyrrolidone(PVP), using CuCl2ּ2H2O, Zn(Ac)2ּ2H2O and SnCl4•5H2O as metal precursor, thiourea as sulfur source. The effects of reaction temperature and time on crystal structure, composition, morphology and absorption spectra of CZTS powders were analyzed by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), Raman spectroscope, transmission electron microscope (TEM), energy dispersive X-ray spectroscope (EDS) and UV-Vis spectroscope. The results reveal that the reaction temperature and reaction time have a certain influence on the morphology and optical properties of the as-synthesized CZTS powders. The optimum solvothermal reaction condition is 230℃, 24 h. Under this condition, crystallization of the synthesized CZTS powders is pure and complete, and the particles are uniform and monodispersed sheets-contanimg microspheres. Elements’ atomic ratio of CZTS powder is close to stoichiometric coefficient and band gap of the products is about 1.52 eV, which is close to the optimum value for solar photoelectric conversion. In addition, a possible reaction mechanism of CZTS particle preparation is also inferred.

Keyword: Cu2ZnSnS4; solvothermal method; reaction time; reaction temperature
引言

CuInGaSe2(CIGS)薄膜太阳能电池具有较高的吸收系数、合适的光学带隙、较高的光电转换效率(20.3%)[ 1], 是薄膜太阳能电池的研究热点。但是, In、Ga等材料是稀有金属、价格昂贵, 限制了该类薄膜太阳能电池大规模商业化应用。CZTS薄膜太阳能电池组成元素来源广泛, 制备成本低廉, 与黄铜矿型CIGS晶体结构相似, 吸收系数高(>104 cm-1), 帯隙( Eg)1.5 eV, 与太阳光谱匹配好, 是最具发展前景的薄膜太阳能电池之一, 有望取代成本较高的CIGS薄膜太阳能电池。

早在1967年, Nitsche等[ 2]首次通过碘蒸气传输法合成单晶CZTS。1988年, Ito等[ 3]首次将CZTS用于制备异质结二极管, 并发现其具有光伏效应。随后日本Katagiri等[ 4, 5]首次以CZTS为吸收层制备太阳能电池, 但是光电转化效率仅有0.66%, 并未引起其他研究者重视。直到2005年, 该类电池重新引起了研究者们关注, 电池光电转换效率不断被刷新。2009年, 基于CZTS太阳能电池光电转换效率达到6.8%[ 6], 随后两年其光电转换效率达到10.1%[ 7], 最新报道的太阳能电池转换效率已经达到11.1%[ 8], 但与CZTS薄膜太阳能电池理论转换效率32.2%[ 9]还有一定的差距。

目前, 制备CZTS材料的方法很多, 如: Seol等[ 10]通过射频磁控溅射法在玻璃基底上制备CZTS薄膜; Zhou等[ 11]通过球磨法制备CZTS, 并将纳米颗粒制成油墨, 通过丝网印刷的方式制备薄膜, 用该薄膜制备的器件光电转换效率仅有0.49%。还有研究以电化学沉积法制备CdTe、CIGS薄膜为基础, 制备了CZTS薄膜太阳能电池, 如: Scragg等[ 12]首先通过该方法制备Cu-Zn-Sn前驱体, 然后再通过硫化得到具有较好光电特性的贫铜CZTS。虽然上述方法均能制备出CZTS薄膜材料, 但是所用设备昂贵、合成的CZTS质量不均一、易产生有毒有害物质, 不适合大规模生产。本工作尝试使用反应条件温和、成本低廉的溶剂热法, 以乙二醇作溶剂, PVP作表面活性剂, 制备CZTS粉末, 研究反应温度和反应时间对制备CZTS粉末的影响, 并对其结构、形貌、成分以及光学性能进行了表征。

1 实验方法
1.1 实验原料

二水合氯化铜(CuCl2•2H2O, 分析纯, 上海润捷化学试剂有限公司), 二水合醋酸锌(Zn(Ac)2•2H2O, 分析纯, 上海美兴化工股份有限公司), 五水合四氯化锡(SnCl4•5H2O, 分析纯, 上海润捷化学试剂有限公司), 硫脲(H2NCSNH2, 分析纯, 上海润捷化学试剂有限公司), 乙二醇(HOCH2CH2OH, 分析纯, 江苏强盛功能化学股份有限公司), 聚乙烯吡咯烷酮(PVP-K90, 分析纯, 天津市博迪化工有限公司), 乙醇(CH3CH2OH, 分析纯, 上海苏懿化学试剂有限公司), 去离子水(H2O, 自制)。

1.2 CZTS制备

将2 mmolCuCl2•2H2O、1 mmolZn(Ac)2•2H2O、1 mmolSnCl4•5H2O、少量表面活性剂PVP, 加入至20 mL乙二醇溶液中, 磁力搅拌至完全溶解后得到溶液A; 将 5 mmol硫脲(TA)溶于20 mL乙二醇溶液中得到溶液B。随后, 将溶液A与溶液B混合, 磁力搅拌均匀后, 置于内衬为聚四氟乙烯(PTFE)的不锈钢管式高压釜(50 mL)中。将高压反应釜密封, 置于烘箱中, 在不同温度和不同反应时间合成CZTS颗粒。反应结束冷却至室温, 产物分别用无水乙醇、去离子水进行多次离心洗涤后, 在60℃真空条件下, 干燥6 h, 得到黑色CZTS粉体。

1.3 表征手段

样品的物相结构采用日本岛津公司XRD-600型全自动X射线粉末衍射仪鉴定, Cu Kα辐射( λ= 0.15406 nm), 加速电压20 kV, 扫描范围2 θ为 20°~80°, 扫描速度5°/min; 样品的形貌在日本电子JSM-6480型扫描电子显微镜(SEM)上观察; 样品的透射电镜(TEM)在飞利浦Teanni-12型透射电子显微镜上测试; 样品的纯度采用Jobinyvon horiba 800型拉曼光谱仪进行测试, 入射波长488 nm, 扫描范围为100~500 cm-1; 粉体UV-Vis采用日本岛津公司UV-3600型紫外-可见分光光度计测定, 扫描范围为300~800 nm。

2 结果与表征
2.1 反应温度和时间对产物物相的影响

为了探讨反应条件对产物物相结构的影响, 分别对不同反应温度和反应时间合成产物进行了XRD表征。由图1可知, 不同反应温度制备的CZTS颗粒大致均在2 θ= 28.42°、32.8°、47.32°、56.24°、69.36°、76.58°处出现6个衍射峰, 对应的晶面指数分别为(112)、(200)、(220)、(312)、(008)、(316), 该结果与锌黄锡矿CZTS粉末的PDF标准卡片(JCPDF 01-075-4122)结果一致。从图1中还可以看出, 随着反应温度的升高, 衍射峰强度逐渐增强、半峰宽逐渐变窄, 说明合成产物的结晶性变好、晶粒尺寸逐渐变大。图2为230℃反应不同时间所得到的CZTS粉末的XRD图谱。由图2可知, 得到的CZTS粉末均为锌黄锡矿结构。当反应时间小于24 h时, 随着反应时间的延长, CZTS粉末峰强逐渐增加, 半峰宽逐渐变窄, 说明颗粒结晶性变好, 晶粒尺寸逐渐变大。但当反应时间延长至30 h和48 h时, CZTS粉末的衍射峰峰强减弱, 半峰宽变宽, 说明CZTS粉末的结晶性变差, 晶粒尺寸变小。

图1 不同温度反应24 h所得CZTS粉末的XRD图谱Fig. 1 XRD patterns of CZTS powders prepared at different temperatures for 24 h

图2 230℃反应不同时间所得CZTS粉末的XRD图谱Fig. 2 XRD patterns of CZTS powders prepared at 230℃ for different time

2.2 反应温度和时间对产物形貌的影响

为了进一步研究反应条件对产物形貌的影响, 对不同反应温度和反应时间合成产物进行了SEM表征, 结果如图3、4所示。图3为不同温度反应24 h得到的CZTS粉末SEM照片, 当反应温度为200℃时, 产物形貌为生长不完全的表面嵌有片状物的近球形颗粒, 颗粒之间有一定团聚, 颗粒尺寸分布不均匀。当反应温度为210℃时, 颗粒表面薄片较前者明显增多, 颗粒尺寸变大, 但是仍然存在部分颗粒团聚现象。当反应温度为220℃时, 颗粒形貌变得不规整, 表面嵌入的纳米薄片较少。而当反应温度升高至230℃时, 产物形貌变成表面嵌有薄片的微球, 颗粒分散性较好, 产物形貌单一, 颗粒尺寸分布较均匀, 大约为1.6 μm。当反应温度进一步升高至240℃时, 颗粒呈现两种形貌, 即表面具有松散薄片的微球和不规则球体。进一步研究发现, 随着反应温度升高, CZTS颗粒尺寸逐渐增大, 由最初的0.5 μm增加至1.6 μm。

图3 不同温度反应24 h得到的CZTS粉末的SEM照片Fig. 3 SEM images of CZTS particles prepared at different temperatures for 24 h

图4为230℃反应不同时间制备的CZTS粉末SEM照片。由图4(a)可知, 当反应时间为12 h时, 合成粉末为表面嵌有薄片的不规则球体, 颗粒之间团聚现象较严重; 当反应时间为18 h时, 合成粉末颗粒形貌为表面嵌有薄片的微球, 颗粒尺寸分布在0.6~0.8 μm, 颗粒之间团聚现象得到改善(如图4(b)所示)。当反应时间延长至24 h时(见图4(c)), 粉末形貌与前者相似, 较前者更加规整、分散更加均匀, 嵌入在表面的薄片更加致密, 颗粒尺寸变大(约为1 μm)。当反应时间为30 h时(见图4(d)), 颗粒尺寸和分散性与反应24 h的相比没有发生明显变化。当反应时间增加至48 h时, 颗粒形貌变成表面粗糙的不规则球体且合成的颗粒中有一些碎片, 这是由于反应时间过长易导致颗粒表观形貌破坏。

图4 230℃反应不同时间所得CZTS粉末的SEM照片Fig. 4 SEM images of CZTS particles prepared at 230℃ for different time

2.3 反应温度和时间对产物原子比的影响

为了探讨反应条件对产物原子比的影响, 对不同反应温度和时间制备的CZTS粉末进行EDS表征, 结果分别如图5所示。由图5可以看出, 制备的CZTS粉末中均含有Cu、Zn、Sn、S四种元素, 无其他元素存在。由图5(a)可知, 随着反应温度升高, 制备的颗粒逐渐接近化学计量比, 这是由于CZTS的形成过程是分步进行, 反应过程中先形成三元相Cu2SnS3, 当体系温度的升高至接近Zn原子饱和蒸汽压的温度时, ZnS相渗透进入三元相Cu2SnS3中, 形成接近化学计量比的四元相CZTS。但当反应温度进一步升高至240℃时, 产物的原子比再次偏移化学计量比, 这是由于反应温度过高时, 金属原子之间反应活性不同, 饱和蒸汽压相对较低的金属原子会产生挥发。由上可知, 反应温度为230℃时, 产物各元素的原子比为2.1:1.0:1.1:4.1, 与化学计量比较接近。

图5(b)可知, 230℃反应不同时间合成的CZTS粉末各原子比分别为1.2:1.1:1.0:3.3、1.9:1.0:1.1:4.1、2.1:1.1:1.0: 4.1、1.9:1.0:1.1:4.2、1.5:1.2:1.0:3.7, 可以看出, 随着反应时间延长, 产物的原子比例逐渐接近化学计量比, 说明反应逐渐趋于完全。但当反应时间延长至30和48 h时, 产物中各原子比偏离化学计量比。综上可知, 反应24 h时, 产物的各原子接近理论化学计量比。

图5 不同温度反应24 h(a)和230℃反应不同时间(b)得到的CZTS粉末的各原子比例Fig. 5 Elements’ atomic ratios of CZTS particles prepared at different temperatures for 24 h (a) and prepared at 230℃ for different time (b)

2.4 产物的Raman和TEM分析

结合上述XRD、SEM、EDS分析结果可以得出: 反应温度230℃、反应时间24 h时, 合成的CZTS粉末的结晶性、形貌、分散性较好, 原子比接近化学计量比。为了进一步验证所得产物纯度以及微观形貌, 分别对CZTS粉末进行了Raman和TEM分析。图6为230℃反应24 h制备的CZTS粉末的Raman图谱。由图可知, 样品约在337 cm-1处有一强峰, 为锌黄锡矿型CZTS振动模式。而ZnS拉曼峰为351和274cm-1, Cu2SnS3的拉曼峰为318、348和295 cm-1 [ 9, 10], 因此该体系下制备的样品中只含有CZTS相, 不含有ZnS和Cu2SnS3第二相。

图6 230℃反应24 h合成的CZTS粉末Raman图谱Fig. 6 Raman spectrum of CZTS powders prepared at 230℃ for 24 h

图7为230℃反应24 h制备的CZTS粉末超声分散在乙醇中得到的TEM照片。由图7可知, CZTS粉末是由直径在1.6~1.8 μm的微球构成, 并且颗粒表面由较薄的薄片构成。

图7 230℃条件下反应24 h制备的CZTS微粒TEM照片Fig. 7 TEM images of CZTS particles prepared at 230℃ for 24 h

2.5 产物的光学性能分析

室温下的紫外-可见吸收光谱用于分析CZTS粉末的光学性能, CZTS粉末是直接带隙半导体材料, 其禁带宽度( Eg)可以通过公式 αh ν=A(h ν - Eg)1/2计算, 以h ν为X轴, ( αh ν)2为Y轴转化而来, 从中作切线即得到, 其中 α为吸收系数, h为普朗克常数, ν为入射光频率。图8为230℃反应24 h制备的CZTS粉末的UV-Vis曲线, 结果表明CZTS在紫外-可见光区域范围内有较强的吸收, 其禁带宽度约为1.52 eV, 与太阳能电池所需的最佳禁带宽度(1.5 eV)接近, 较适合作为薄膜太阳能电池的吸收层材料。

图8 230℃反应24 h制备的CZTS粉末的紫外可见吸收光谱图Fig. 8 UV-Vis spectrum of CZTS powders prepared at 230℃ for 24 h

2.6 反应机理分析

溶剂热法制备CZTS粉末的反应机理如下式。实验过程中, CuCl2•2H2O、Zn(Ac)2•2H2O、SnCl4•5H2O完全溶解后, 加入硫脲, 部分Cu2+会被硫脲还原成Cu+, 剩余未被还原的Cu2+以及体系中的Cu+、Zn2+、Sn4+会与硫脲形成络合物。随着体系温度升高, 硫脲与溶液中少量水发生反应, 生成H2S, 由于H2S具有一定的还原性, 从而将体系中Cu2+络合物进一步还原成Cu+络合物。当体系反应温度进一步升高, 上述体系中生成的络合物迅速分解, 释放出Cu+、Zn2+、Sn4+、S2-。最后, 随着反应温度升高、反应时间延长, 均向成核形成Cu2ZnSnS4颗粒。

3 结论

采用简单和易操作的溶剂热法, 以CuCl2•2H2O、Zn(Ac)2•2H2O、SnCl4•5H2O作金属前驱体, 硫脲作硫源, PVP作表面活性剂, 乙二醇作溶剂, 成功制备了纯相CZTS微粒, 并研究了反应温度和反应时间对制备CZTS粉末的影响。最终通过XRD、SEM、EDS、Raman、TEM、UV-Vis检测结果发现: 反应温度和反应时间的不同, 合成CZTS粉末的相结构未发生变化, 但是颗粒的结晶性、形貌、原子比均发生一定程度的变化。当反应温度230℃、反应时间24 h时, 制备的粉末为纯相CZTS, 结晶性、分散性较好, 颗粒形貌为表面嵌有薄片的微球。通过UV-Vis分光光度计测得该条件下制备的颗粒光学带隙为1.52 eV, 接近理论值, 较适宜作为薄膜太阳能电池吸收层材料。

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