丁 狄(1988-), 男, 硕士研究生. E-mail:list_d@yahoo.cn
采用静电纺丝结合氨气高温气相还原的方法制备了Ce3+掺杂和Sm3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维和微米带薄膜。XRD、FE-SEM、EDX和PL等测试方法对材料进行表征。样品在1400℃下保温9 h后的XRD图谱与La3Si8O4N11的标准卡片吻合, Sm3+和Ce3+的掺杂没有改变La3Si8O4N11的晶型。样品在宏观上仍保持薄膜状态。在343 nm附近紫外光的激发下, Ce3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维在450 nm 附近呈现出一个宽发射峰来自于Ce3+5d-4f电子跃迁的发射。Ce3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维的衰减曲线为双衰减曲线, 荧光寿命分别为8.27和32.72 ns。而Sm3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维在409 nm的近紫外光的激发下, 在575、600、610和650 nm处存在四个尖锐的窄峰来自于Sm3+的4f-4f电子跃迁的发射。
Ce3+-doped and Sm3+-doped La3Si8O4N11 nanofibers and microbelts were prepared by the electrospinning. The obtained samples were characterized by XRD, FE-SEM, EDS and PL. XRD patterns of sample nitrided at 1400℃ for 9 h were crystallized well and assigned to JCPDF card of the monoclinic La3Si8O4N11 crystal and the sample maintained La3Si8O4N11 phase after doping Ce3+ or Sm3+ ions. The obtained sample not only keeps the morphology of nanofiber but also assembles as film. Under ultraviolet excitation (343 nm), the emission spectra of Ce3+-doped La3Si8O4N11 sample consists a board peak near 430 nm and a shoulder at 460 nm, it results from Ce3+ 5d-4f transition. The dacay curve of Ce3+-doped La3Si8O4N11 nanofibers exhibits double-exponential decay curve. The fast and slow decay lifetimes of Ce3+-doped La3Si8O4N11 nanofibers are about 8.27 and 32.72 ns. The emission spectra of Sm3+-doped La3Si8O4N11 shows four sharp peaks situated at 575, 600, 610 and 650 nm when excited at 409 nm results from Sm3+ 4f-4f transition.
稀土掺杂的氮氧化物发光材料具有发射光谱丰富和激发能量较低的特点, N3-的电负性要弱于O2-, 因而相对于氧化物来说, 稀土掺杂的氧氮化物具有更为明显的电子云重排和能级劈裂效应, 其发射光大多向长波方向推移, 与稀土掺杂的氧化物有明显区别[ 1]。氮氧化物的晶体结构稳定, 保证了氮氧化物发光材料的抗辐射能力和热稳定性。Ce3+掺杂的La3Si8O4N11能够被紫外和近紫外光有效激发, 在450 nm附近有一个较宽的发射峰[ 2], 可以作为紫外和近紫外芯片激发的三基色白光LED中的蓝光荧光粉, 在大功率白光LED中有潜在应用价值。
对于荧光粉体来说, 颗粒的尺寸、形状和分散形式都会影响粉体的发光性能。氧氮化物的合成温度较高, 颗粒尺寸较大且易发生团聚。谷鋆鑫等利用模板法气相还原在较低温度下制备了MSi2O2N2: Eu2+(M=Ca、Ba)荧光粉, 并实现了荧光粉颗粒形貌的可控制备[ 3, 4]。然而荧光粉体粒径的可控分布仍是一个有待解决的问题。
静电纺丝是一种制备一维纳米纤维的方法, 具有能耗低, 简单方便等优势, 能够制备包括有机、无机以及有机无机复合的纳米纤维。包括BCNO[ 5, 6]、NaGdF4:Eu3+[ 7]、YBO3: Eu3+[ 8]、Y3Al5O12: Eu3+[ 9]、Ga2O3:Eu3+ [ 10]、Gd2O3: Tb3+[ 11]、SrAl2O4:Eu2+、Dy3+[ 12]、CaTiO3:Pr3+、CaAl2Si2O8:Eu2+、Dy3+[ 13] LaPO4: Eu3+[ 14]等各种体系的荧光材料都可以通过静电纺丝法制备[ 15]。有报道指出尺寸均匀, 分散性良好的荧光薄膜的发光强度要强于单纯的荧光粉颗粒薄膜[ 16]。谷鋆鑫等[ 17]则利用静电纺丝结合氨气气相还原法制备了CaSi2O2N2: Eu2+纳米荧光纤维薄膜, 并将这种薄膜直接贴附在LED蓝光芯片的表面, 实现了荧光粉体从制备到分散控制的一步完成。此外, 利用静电纺丝得到的纳米纤维具有长径比大, 形成的无纺布孔隙率较高, 能够提高反应活性, 降低反应温度。
本工作通过静电纺丝和氨气气相还原技术分别制备了Ce3+掺杂和Sm3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维和微米带, 并对Sm3+掺杂和Ce3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维的发光性能进行了研究, 两者在近紫外光激发的白光LED灯中有着广泛的应用前景。
硝酸钐(Sm(NO3)3·6H2O), 硝酸镧(La(NO3)3·6H2O), 硝酸铈(Ce(NO3)3·6H2O)和正硅酸四乙酯(TEOS), 聚乙烯吡咯烷酮(PVP, k-30)由国药试剂有限公司提供, 聚乙烯吡咯烷酮(PVP, 数均分子量 Mn = 1300000)由Aldrich Chemical Co. Ltd 提供, 无水乙醇, 去离子水。
1.2.1 静电纺丝
纺丝液中无机盐的比例直接决定了氮化后产物的成分, 因此按照La:Ce:Si=3(1- x):3 x:8的化学计量比进行配料。将0.75(1- x) mmol La(NO3)3·6H2O和0.75 x mmol Ce(NO3)3·6H2O加入到4 mL去离子水中, 持续搅拌30 min 后, 加入1 g PVP(k-30)和0.5 g PVP(Mn=1300000) 以调节溶液的粘性。然后在剧烈搅拌下将0.41 g TEOS逐滴加入上述溶液中。最后将6 mL无水乙醇加入到上述溶液中, 继续搅拌 8 h得到均匀透明的纺丝液。
纺丝初始电压为10 kV, 接收距离为16 cm。推速为30 µL/min。经过一定时间的静电纺丝后, 在接收铝箔上收集到一层均匀的白色纤维薄膜。
1.2.2 前驱体的煅烧
将上述方法制备的前驱体复合纤维置于玻璃培养皿中, 放于马弗炉中进行煅烧。煅烧的升温速度为2 ℃/min, 煅烧温度为500℃, 保温时间为6 h, 自然冷却, 得到 La-Si-O-Ce纳米纤维。
1.2.3 La-Si-O-Ce纳米纤维的氮化
将制备的 La-Si-O-Ce纳米纤维置于刚玉瓷舟中, 置于管式气氛炉中, 在300 mL/min的氨气气氛下, 以2 ℃/min 的升温速率升至不同氮化温度, 保温一定时间后在氨气气氛中自然冷却至室温。
采用相同的方法制备La3(1- y)Si8O4N11: 3 ySm3+纳米纤维。
采用Rigaku D/max-2550Pc型X射线衍射仪对样品进行物相分析。测试条件为 Cu 靶, Kα辐射(λ= 0.154 nm, 管电压 40 kV, 电流 200 mA, 扫描速度为 0.02º/s)。采用日本SU8010型场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对制备的初生纤维、煅烧后纤维和氮化后纤维进行形貌观察。采用 JASCO FP-6600 荧光光谱仪测试样品的激发和发射光谱, 激发狭缝为3 nm, 发射狭缝为2 nm, 响应时间均为0.2 s, 扫描速度为200 nm/min。采用PTI QM/TM稳态/瞬态荧光光谱仪测试样品的荧光衰减曲线。
图1为静电纺丝得到的初生纤维、煅烧后纳米纤维和不同条件氮化得到的La3Si8O4N11纳米纤维的XRD图谱。如图1(a)所示, 曲线在2 θ=22°附近的宽峰是PVP的衍射峰, 复合纤维主要为无定形态。经过500 ℃煅烧后, 硝酸镧逐渐分解为氧化镧, 衍射谱中存在的宽峰表明有少量PVP残留(图1(b))。对照JCPDF卡片(48-1597)可以看出, 煅烧后La-Si-O-Ce纳米纤维在氨气气氛下升温至1400℃后(图1(d)), 反应产物开始转变为单斜晶形的La3Si8O4N11, 而样品在2 θ=27°和2 θ=32°附近的衍射峰表明仍有少量镧的硅酸盐存在, 氮化反应并不完全。进一步延长保温时间至9 h, 镧的硅酸盐的衍射峰完全消失, 产物基本转变为La3Si8O4N11。当氮化温度达到1500℃, 保温6 h后, 样品也基本转变为La3Si8O4N11。图2为La3Si8O4N11: 20mol%Ce3+和La3Si8O4N11: 5mol%Sm3+纳米纤维的XRD图谱。从图2(a)可以看出Ce3+和Sm3+的掺杂没有导致物相的变化。由图2(b)可以看出Sm3+的掺杂使得主峰向大角度方向位移。说明Sm3+的掺杂缩小了La3Si8O4N11的晶胞体积。
图3为静电纺丝初生纳米纤维(a)和微米带(b)的FE-SEM照片。影响静电纺丝的主要工艺参数包括: 前驱体溶液的性质、纺丝的工艺参数以及纺丝的环境参数[ 18]。通过调节上述参数可以得到微米带结构。微米带的形成与从针头喷出溶液射流的表面和内部溶剂的蒸发速率有关。如果射流表面溶剂的蒸发速率明显快于内部溶剂的蒸发速率, 射流表面的聚合物在内部溶剂完全蒸发之前就已经固化完全因而产生了中空纳米管, 随后纳米管坍塌形成微米带结构[ 19]。本实验通过控制溶液中PVP (k-30)质量分数能够实现一维纳米结构在纳米纤维和微米带间的转变。若溶液中PVP(k-30)的质量分数在8%左右, 则接收板上所得产物为初生复合纤维, 直径在200~300 nm之间, 表面光滑。当溶液中PVP(k-30)的质量分数在11%左右时, 如图3(b)所示, 接收板上得到产物为厚度在25 nm左右, 宽度为2 μm的微米带。
图4为初生纤维空气中经过500℃煅烧后的FE-SEM照片, 可以看到初生纤维在除去聚合物模板后仍保持了纤维形貌, 表面光滑, 直径处于150~300 nm之间, 与初生没有明显区别。而煅烧后纤维薄膜在宏观尺度上明显收缩, 这表明随着有机物的分解, 纳米纤维主要沿着纤维的径向收缩。
图5为煅烧后的纤维在氨气气氛下, 高温氮化后的FE-SEM照片。图5(a)为1400℃氨气气氛中保温9 h后得到的La3Si8O4N11: Ce3+FE-SEM照片, 氮化后样品仍能保持一维纳米结构的形貌, 表面由细小颗粒组成, 尺寸在150~250 nm左右。而当氮化温度升高到1500℃时, 样品的纤维形貌大部分消失, 出现明显的板结团聚现象(图5(b)), 这表明样品的氮化反应过程存在液相辅助固相反应。图5(c)和图5(d)分别为La3Si8O4N11: 20mol% Ce3+和La3Si8O4N11: 3mol% Sm3+纳米纤维的EDS能谱, 可见经过氮化后的样品中Ce3+和Sm3+元素的存在。
2.3.1 La3Si8O4N11: Ce3+样品
图6为La3Si8O4N11: 20mol% Ce3+纳米纤维在室温下的激发(图6a)和发射光谱(图6(b))。如图6(a)所示, La3Si8O4N11: 20mol% Ce3+纳米纤维的激发光谱在250和400 nm之间包含了370、343、290、260 nm等4个激发峰。在343 nm近紫外光的激发下, La3Si8O4N11: 20mol% Ce3+ 纳米纤维的发射光谱在427 nm出现了一个较宽的发射峰, 并且在460 nm附近出现了一个肩峰。这是由Ce3+ 在5d1轨道上的激发态电子向 4f1(2F5/2 和2F7/2) 的基态轨道跃迁导致的。利用色坐标计算软件GoCIE计算后得La3Si8O4N11: 20mol% Ce3+的坐标位置为( X=0.15、 Y=0.06), 如图7中点1所示。这表明La3Si8O4N11: 20mol% Ce3+纳米纤维能够很好地被紫外和近紫外光激发, 在紫外近紫外芯片激发的白光LED中可以作为蓝色基粉。
实验还研究了Ce3+的掺杂浓度对样品发光性能的影响。在 Ce3+掺杂的La3Si8O4N11样品中, Ce3+取代了La3+的原子位置[ 2], 由于Ce3+与La3+的离子半径相近, 因而大量Ce能够掺杂进入La3Si8O4N11的晶格中且没有引起明显的晶格畸变[ 20]。如图8所示, Ce3+掺杂的La3Si8O4N11 ( λex= 343 nm)的发射强度首先随着掺杂量的提高而提高, Ce3+的最佳掺杂浓度为20mol%。随着Ce3+的掺杂浓度不断增加, 导致Ce3+浓度猝灭效应, 发射光谱的强度逐渐降低。
图9为Ce3+(20mol%)掺杂的 La3Si8O4N11 纳米纤维的荧光衰减曲线,经拟合发现曲线为双衰减曲线, 其中快衰减和慢衰减的荧光寿命分别为8.27和31.72 ns。La3Si8O4N11晶格存在两种不同配位的La原子: La1离子与6个阴离子相配位而La2离子与8个阴离子相配位。Ce3+在La3Si8O4N11中分别取代了这两种不同配位环境中的La离子, 因而产生了两种不同的荧光寿命。
2.3.2 La3Si8O4N11: Sm3+样品
图10为 Sm3+(5 mol%)掺杂的 La3Si8O4N11 纳米纤维的激发光谱和发射光谱。如图10(a)所示, 尖锐的激发峰来自于 Sm3+的 4f-4f 跃迁吸收, 它们分别对应于6H5/2→4K17/2(347 nm)、6H5/2→4L17/2(370 nm)、6H5/2→4K11/2(409 nm)[ 21]。其中6H5/2→4K11/2的 409 nm近紫外光激发时, 发射峰强度最强, 这为近紫外和蓝光光区有效的激发提供了可能。图10(b) 是Sm3+(5 mol%)掺杂的 La3Si8O4N11纳米纤维在409 nm激发下的发射光谱。发射光谱中可以观察到4个主要的发射峰: 560 nm(Sm3+的4G5/2→6H5/2)、600 nm (Sm3+的4G5/2→6H7/2)、610 nm(Sm3+的4G5/2→6H7/2)、 642.6 nm(Sm3+的4G5/2→6H9/2), 其中最强峰出现在600 nm处[ 22]。利用色坐标计算软件GoCIE计算后得La3Si8O4N11: 5 mol% Sm3+的坐标位置为( X=0.52, Y=0.46), 如图7中点2所示。
图11为不同Sm3+浓度掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维的发射光谱。La3Si8O4N11: Sm3+ 样品 (λex= 409 nm)的发射强度先随着掺杂量的增加而提高, Sm3+的最佳掺杂浓度为7 mol%。随着Sm3+的掺杂浓度不断增加, 导致 Sm3+浓度猝灭效应, 发射光谱的强度反而降低。
采用静电纺丝技术, 结合氨气高温气相还原的方法制备了Ce3+掺杂和Sm3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维和微米带。样品在氨气气氛中1400 ℃下保温9 h后能够得到比较纯的单斜相的La3Si8O4N11, Ce3+和Sm3+的掺杂没有改变La3Si8O4N11的晶相, 表明两者均取代了La3+的位置。343 nm附近紫外光的激发下, Ce3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维在450 nm 附近呈现出一个宽发射峰, 表明其在紫外和近紫外光激发的白光LED中能够作为蓝色基荧光粉。Sm3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维在409 nm的近紫外光的激发下, 在575、600和650 nm处存在三个发射峰, 其中600 nm处的发射峰最强, 发射出橘红光。Sm3+掺杂的La3Si8O4N11进一步丰富了白光LED用荧光粉体系, 有望应用于不同色品质(冷、暖)的白光LED灯中。