Mn2+掺杂对V2O5纳米材料结构与电化学性能的影响
李兆龙1, 孙华君1, 徐杰1, 张晓艳1, 黄胜男1, 朱泉峣1, 陈文1, Galina S. Zakharova2
1. 武汉理工大学 材料复合新技术国家重点实验室, 武汉430070
2. 俄罗斯科学院 乌拉尔分院固态化学研究所, 叶卡捷琳堡620990, 俄罗斯
陈 文, 教授. E-mail:chenw@whut.edu.cn

李兆龙(1988-), 男, 博士研究生.

摘要

以V2O5粉末、H2O2和Mn(CH3COO)2·4H2O为原料, 采用水热法制备了纳米结构的锂离子电池阴极材料MnxV2O5。运用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)和扫描电镜(SEM)测试对制备的材料进行结构和形貌表征, 并利用充放电测试和交流阻抗测试研究了样品的电化学性能。结果表明: 随着锰掺杂量的增加, V2O5的正交晶型层状结构未发生改变, 其层间距逐渐扩大, 形貌由纳米短棒状向纳米带簇状变化。电化学测试表明: Mn2+掺杂提高了V2O5的电化学性能, 其首次充放电效率由70.8%提高到90%以上; Mn0.01V2O5经过90次充放电循环后, 其容量仍为192.2 mAh/g。Mn2+掺杂对V2O5电极材料的离子电导率有影响, Mn0.02V2O5离子电导率由未掺杂时的6.27×10-4 S/cm提高到1.58×10-3 S/cm。

关键词: MnxV2O5; 电极材料; 离子掺杂; 电化学性能
中图分类号:O657   文献标志码:A    文章编号:1000-324X(2013)11-1200-07
Effect of Mn2+ Doping on Structure and Electrochemical Properties of V2O5 as the Rechargeable Electrode Material
LI Zhao-Long1, SUN Hua-Jun1, XU Jie1, ZHANG Xiao-Yan1, HUANG Sheng-Nan1, ZHU Quan-Yao1, CHEN Wen1, Galina S. Zakharova2
1. State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China
2. Institute of Solid State Chemistry of the Ural Branch, Russian Academy of Science, Yekaterinburg 620990, Russia
Abstract

MnxV2O5 (x=0~0.06) was prepared by hydrothermal method with H2O2 and V2O5 as precursors and Mn2+ added directly in the sol preparation process. Structures and morphologies of the materials were characterized by X-ray diffraction (XRD), X-ray Photoelectron Spectroscope (XPS) and scanning electron microscope (SEM). The results indicate that the V2O5 is well crystallized as an orthorhombic structure without any detectable impurity phase with the doping of Mn2+. The doping Mn2+is situated between anionic sheets of VO6chain in the V2O5 and the morphology of V2O5 changes from nanorods to nanobelts cluster. The electrochemical behavior of the MnxV2O5acted as cathode materials is studied by charge-discharge test and electrochemical impedance spectra (EIS) test through a three electrode system. The results indicate that the efficiency of the first charge-discharge of the material enhances to 90% with the Mn2+ doping. The discharge capacity of the Mn0.01V2O5 is up to 192.2 mAh/g after 90 charge-discharge cycles at 0.2C rate. The doping Mn2+ performs efficiently in ionic conductivity of V2O5electrode material, and the ionic conductivity of Mn0.02V2O5 is enhanced from 6.27×10-4 S/cm to 1.58×10-3 S/cm.

Keyword: MnxV2O5; electrode material; ion doping; electrochemical properties

目前, 锂离子二次电池正极材料的研究是发展新能源材料的一个热点, 主要集中在具有层状结构的LiMO2、尖晶石结构的LiM2O4和橄榄石结构的LiMPO4化合物(M主要为Co、Ni、Mn等过渡金属元素)[ 1, 2, 3, 4]。 V2O5具有独特的层状结构, 每摩尔V2O5可以在其层间可逆的嵌入/脱出三摩尔锂离子, 使其理论容量高达442 mAh/g。V2O5作为电极材料具有低成本、高密度、低自放电率以及在聚合物电解质中化学性能稳定等良好特性, 是发展前景很好的锂离子电池电极材料。但是, V2O5作为电极材料使用还有需要改善的地方, 如Li+离子扩散系数较低、电导率较差(约为6.27×10-4 S/cm), 在放电循环过程中容易发生不可逆的结构变化而导致可逆容量下降、循环寿命减短等问题。

目前, 解决上述问题的方法是将钒氧化物的形貌纳米化, 如制备成纳米线、纳米管、纳米带等形貌[ 5, 6, 7], 利用纳米结构具有独特的电子、离子运输特性、较大的比表面积和高的表面活性等特点[ 8, 9], 可以极大地提高钒氧化物电极材料的离子电导率和循环稳定性能。此外, V2O5具有开放式的二维层状结构, 层内原子以共价键形式存在, 而层与层之间存在较弱范德华力, 原子或离子可以嵌入其层间。利用此结构特点, 扩大V2O5的层间距离, 从而削弱了V2O5层对Li+的静电作用, 同时, Li+与嵌入物之间具有较好的相容性, 使其具有较好的脱嵌Li+性质。因此, 掺杂金属离子(Ag+、Cr3+、Cu2+、Zn2+)对V2O5电极材料进行改性是提高材料电化学性能有效途径之一。有 研究报道, Ag+掺杂使V2O5凝胶的电导率提高了2~3个数量级[ 10]; Cr3+掺杂的Li3.2Cr0.11V2O5.16正极材料, 50次循环后的放电容量达到350 mAh/g[ 11]; Cu2+掺杂的Cu0.04V2O5电极材料, 循环稳定性显著增加[ 12]

本工作通过水热法制备了具有纳米结构Mn xV2O5材料, 研究了锰掺杂对V2O5电极材料的结构、形貌和电化学性能的影响, 通过交流阻抗谱测试(EIS)对其导电机理进行了分析。

1 实验
1.1 样品的制备

称取一定量的V2O5粉末, 在磁力搅拌的同时, 将其缓慢加入盛有去离子水的烧杯中, 充分搅拌; 然后用滴管缓慢加入一定量的30% H2O2, 经过一段时间后, 烧杯中的黄色悬浊液逐渐变成棕色透明液体, 最终得到0.5 mol/L的V2O5溶胶, 静置1 d后使用。将一定量的草酸锰溶于去离子水中配置成 0.1 mol/L溶液, 静置1 d. Mn/V2O5按摩尔比为0、0.005、0.01、0.02、0.04和0.06, 分别量取一定量0.1 mol/L的草酸锰溶液, 缓慢滴加到剧烈搅拌的40 mL V2O5溶胶中, 室温下搅拌2 h. 然后, 所得混合液转入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中, 在180℃下反应5 d后取出自然冷却。在80℃空气中干燥, 得到深绿色固体, 然后将其研磨成粉末。

1.2 性能测试与表征

XRD测试采用荷兰PANalytical公司的X射线粉末衍射仪, 实验条件: Cu-Kα辐射, 波长0.15418 nm, 管电压40 kV, 测角精度Δ2 θ ≤ ±0.033°, 测量范围10°~70°。XPS测试采用VG Multilab 2000 X射线光电子能谱仪, 激发源为Al KαX射线(1486.6 eV), 样品倾角为65°, 扫描步长为0.05 eV, 1×10-6Pa的真空环境, 采用C1s的结合能(284.6 eV)进行校正。 SEM测试采用日本电子株式会社的JSM-5610LV型扫描电子显微镜, 加速电压20 kV, 低真空度1~270 Pa, 分辨率3 nm。

电化学测试的正极由制备好的样品、乙炔黑、PTFE按质量比70: 25: 5的比例组成, 将其混合均匀, 在对辊机上压成0.2 mm薄片, 并制备成φ9 mm的电极片, 在80℃烘箱中干燥12 h后组装成纽扣电池。 纽扣电池组装是在充满氩气的手套箱中进行, 以锂片作为负极, 电解液为1 mol/L LiPF6/EC+DMC+ EMC (体积比1: 1: 1), 隔膜为Celgard 2300, 集流体为镍网。

在恒流充放电仪(BTS 5 V/5 mA)上进行恒流充放电测试, 其电压范围2~4 V, 电流密度0.2 C. 在荷兰EcoChemie型PGSTAT302N (GPES/FRA)电化学工作站上进行交流阻抗测试。 测试样品为组装的模拟电池, 阻抗测试频率范围为0.01 Hz ~10 kHz, 同时通过Zsimpwin软件进行拟合分析。

2 结果与讨论
2.1 XRD和XPS分析

图1为不同锰掺杂量的Mn xV2O5的XRD图谱, 从图中看出, 所有Mn xV2O5 ( x=0、0.005、0.01、0.02、0.04、0.06) 样品的特征衍射峰都与PDF卡片中V2O5的标准谱图(JCPDS 01-87-1260)基本一致, 材料的衍射峰尖锐且对称, 具有良好的结晶形态; 没有出现杂峰, 少量掺杂Mn2+未改变V2O5的正交晶系结构[ 13, 14]。 V2O5正交晶系中V原子处于由5个O原子所包围的四方棱锥体的中间, 与5个O原子形成5个V-O键, 因此, V2O5可以看作是VO5类金字塔单元通过桥氧键结合的方式组成链状, 链与链之间通过双键氧与下一条链上的V作用形成层状排列的结构。掺杂后, Mn2+进入V2O5层间, 与连接V的4个平面氧原子形成6配位结构[ 15, 16, 17, 18]。随着Mn2+掺杂量的增加, V2O5层间距逐渐扩大, 晶体的衍射峰强减弱, 衍射峰宽化。

图1 Mn xV2O5 ( x=0~0.06)电极材料的XRD图谱Fig. 1 XRD patterns of the MnxV2O5 (x=0~0.06) materials

图2为V2O5和Mn xV2O5 ( x=0.02)样品在V2p和O1s处的XPS能谱图。图2(a)中V2O5样品的V4+和V5+结合能为516.03和517.5 eV[ 19]图2(c)中Mn2+掺杂样品的V4+和V5+的结合能分别为516.01和517.49 eV, 其峰位并未发生明显的变化。图2(b)和(d)中O1s在结合能为530.4和532 eV处分裂为两种氧状态, 其中Oα对应于V2O5晶体中与钒原子结合的饱和氧原子, Oβ对应于缺陷氧原子[ 20]。由表1中XPS能谱图拟合参数得到, Mn2+掺杂后, Oβ/(Oα+Oβ)从35.92%减小到31.27%, 这是由于Mn2+进入钒氧化物层间与空位O2-形成配位结构, 使V2O5的表面晶格氧空位饱和[ 21]

图2 V2O5和Mn xV2O5 ( x=0.02)在V2p和O1s处的XPS能谱图Fig. 2 V2p and O1s XPS spectra of V2O5 and MnxV2O5 (x=0.02)

表1 V2p和O1s处的XPS能谱图拟合参数 Table 1 XPS fit parameters for the V2p and O1s of V2O5 and Mn xV2O5
2.2 形貌分析

图3为不同锰掺杂量的Mn xV2O5的SEM照片。 从图3(a)中看出, 当 x=0时, 水热产物V2O5为纳米短棒结构, 长约为300 nm, 宽约为100 nm。随着Mn2+掺杂量的增加, V2O5纳米棒逐渐变长, 当 x=0.02时 (图3(d)), 纳米棒长可达1 μm, 宽约为200 nm, 形成的纳米棒状结构比较均匀。随着Mn2+掺杂量的继续增加, 产物由棒状结构向带状结构转变。如图3(f)所示, Mn0.06V2O5为纳米带簇状结构。

图3 MnxV2O5 (x=0~0.06)电极材料的SEM照片Fig. 3 SEM images of MnxV2O5 with x value ranged from 0 (a) to 0.06 (f)

2.3 电化学性能测试

V2O5作为锂离子电池电极材料, 在充放电过程中, 锂离子通过电化学的方式在其层间可逆的脱嵌, 放电曲线存在多个平台, 平台间坡度较陡, 对应反应方程式和相变结构如公式(1)、(2)、(3)所示[ 22, 23, 24]:

(1)

(2)

(3)

在室温下对Mn xV2O5样品进行了充、放电测试, 电流密度为0.2 C, 电压范围为2.0~4.0 V。图4显示的是不同Mn2+掺杂量的样品的首次充放电曲线。未掺杂Mn2+的V2O5的充放电曲线在2.2~3.4 V间明显呈三对平台, 平台之间界限十分明显, 充电时平台分别位于2.5、3.3和3.4 V处, 放电时分别对应于3.35、3.2和2.2 V处。在V2O5放电过程中结构转变分为三个过程: [ 25], 这与放电过程中三个放电平台一一对应。随着Mn2+掺杂量的增加, 当 x超过0.02时, V2O5电极材料的放电曲线在电压2.5 V处出现一个极小的放电叠加平台, 并逐渐变成斜坡。过多Mn2+掺杂进入V2O5层间形成MnO6配位键, 与之对应的层状结构的MnO6结构与锂离子发生脱嵌, 在电压2.5 V处出现对应Mn2+的充放电平台。

图4 Mn xV2O5( x=0~0.06)电极在0.2 C电流下的首次充放电曲线Fig. 4 First charge and discharge curves of Mn xV2O5 with different Mn2+ contents at current density of 0.2 C

随着Mn2+的掺杂, 样品的首次充放电曲线发生明显变化。V2O5的充放电效率明显提高。当 x=0时, V2O5的首次充电容量为349.8 mAh/g, 放电容量为247.7 mAh/g, 效率为70.8%。

x=0.005、0.01、0.02、0.04和0.06时, 样品的首次充放电效率分别为98.8%、95.8%、93.3%、94.4%和93.6%。随着Mn2+掺杂量的增加, 电极材 料在电压为2.2 V处的放电平台变长, 对应的放电量增加, 即γ结构的嵌锂量增多。V2O5中V5+与V4+存在一定的比例, 当适量Mn2+掺杂进入V2O5层间形成MnO6配位键时, V4+的比例增加, 可以容纳更多的Li+嵌入和脱出, 形成更宽的放电平台[ 26]。当 x=0.005时, Mn0.005V2O5首次放电, 在电压2.2 V处放电平台对应的放电量为75 mAh/g。另外, Mn2+的掺杂也使Mn0.05V2O5的放电平台提高了约0.2 V。当Mn2+掺杂量过多形成的纳米带簇状结构, 使得材料比表面积减小, 锂离子的扩散路程变长, 嵌脱较困难, 样品的充放电容量的发挥就受到限制。

图5为Mn xV2O5在0.2 C电流下的放电容量与循环次数的关系曲线, 从图中看出, 当 x=0时, V2O5电极经过45次循环后, 容量急剧衰减, 这是循环过程中V2O5电极的结构被破坏引起的。当 x=0.005时, Mn0.005V2O5经过90次循环后放电容量为125.5 mAh/g。当 x=0.01时, Mn0.01V2O5经过90次循环后容量为192.2 mAh/g。当 x=0.06时, Mn0.06V2O5经过90次循环后放电容量为84.9 mAh/g。由此得到, 适量的Mn2+掺杂能极大地提高V2O5电极材料的稳定性能。

图5 Mn xV2O5电极在0.2 C电流下的循环性能Fig. 5 Cycling performances of MnxV2O5 at current density of 0.2C

对组装模拟电池进行了交流阻抗测试, 分析了Mn2+掺杂对V2O5电性能的影响, 模拟电池在测试前, 均进行活化处理, 在充满电后进行测试。图6(a)为不同Mn2+掺杂量的V2O5的交流阻抗图谱, 材料体系交流阻抗等效电路如图6(a)中插图所示。各曲线在高频区的半圆, 反映出发生在电解质/氧化物电极界面的电荷传输反应引起的阻抗, 即材料的电荷转移阻抗; 低频区的直线对应Li+在氧化物电极界面的扩散阻抗及相应容抗, 即Warburg阻抗[ 27]。 Warburg扩散系数 σw可由公式(4)计算[ 28]:

(4)

式中, Zre为体系总电阻, Rs为溶液电阻, Rct为电荷转移电阻, ω为阻抗谱低频部分的角频率。由阻抗图谱经过拟合可以得到 Rs Rct的值, 因此 σw可由 Zre ω-1/2组成曲线的斜率求得, 其关系图如图6 (b)所示。 由图中直线斜率可求出不同掺杂Mn2+离子量的 σw值。锂离子在材料中的扩散系数可由公式(5)求出:

(5)

式中, R为气体常数, 为8.314 J/(mol•K), T为室温298.15 K, A为测试电极的表面积, n为电荷转移数, F为阿伏伽德罗常数(96500 C/mol), C为晶胞中锂离子的浓度。

材料的离子电导率可由公式(6)求出[ 27]:

(6)

式中, t为测试材料电极片的厚度。

图6 Mn xV2O5电极的交流阻抗谱及其等效电路图 (a) 和低频段 Zre ω-1/2关系图 (b)Fig. 6 (a) Electrochemical impedance spectra (EIS) of MnxV2O5 and equivalent circuit of impedance, (b) The relationship between Zre and ω-1/2 at low frequencies for MnxV2O5 samples

经计算得到的阻抗参数如表2所示, 可以看出Mn xV2O5电极的溶液电阻变化不大, 电荷转移电阻开始随着Mn2+掺杂量的增加而减小, 当 x=0.02时, Mn0.02V2O5的电荷转移电阻最小为44.8 Ω, 与之对应的样品的离子电导率为1.58×10-3 S/cm, 相对未掺杂样品的6.27×10-4 S/cm有了很大的提高。随着掺杂量的增加, Rct逐渐增大, 当 x=0.06时 Rct为108.43 Ω, 离子电导率为6.53×10-4 S/cm。这是因为适量Mn2+的掺杂进入到V2O5的层间, 与V-O键中氧原子形成微弱配位键, 起到骨架作用, 使得V2O5的层间距扩大, 锂离子容易在层间嵌入/脱出, 使得电导系数得到提高。而掺入过量Mn2+, Mn2+占据V2O5层间位置, 导致嵌锂通道被堵塞, 使材料的离子电导率降低。

表2 不同锰掺杂量的Mn xV2O5的交流阻抗参数 Table 2 Impedance parameters of the Mn xV2O5 with different Mn2+ contents
3 结论

通过水热法合成了掺杂Mn2+的Mn xV2O5纳米材料, 充放电测试和EIS测试结果表明, Mn2+的掺杂能提高材料的电化学性能, 其首次充放电效率由70.8%提高到了90%以上; Mn0.01V2O5经过活化, 90次循环后放电容量高达192.2 mAh/g。Mn2+离子掺杂还提高了材料的离子电导率, 当 x=0.02时, 材料的离子电导率由未掺杂时的6.27×10-4 S/cm提高到了1.58×10-3 S/cm。

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