刘 林(1987-), 女, 硕士研究生. 通讯作者: 唐 斌, 副教授. E-mail:tangbin@uestc.edu.cn
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近年来, 微波集成电路的快速发展给通信技术带来了巨大的进步. 与传统金属腔体滤波器相比, 介质腔体滤波器具有低成本和高可靠性的优点, 更广泛地用于微波电路中[ 1]. 微波介质陶瓷作为介质腔体滤波器中的介质材料, 一般具有高介电常数 εr, 高品质因数Q和低谐振频率温度系数 τf等特点, 并适用于制造各种微波元器件, 如滤波器、稳频振荡器等[ 2]. 在现有的微波介质材料体系中, La4Ba nTi3+ nO12+3 n( n=0,1,2)复合体系具有较高的介电常数(39< εr<46)、低介电损耗(11583< Q× f<31839)以及低谐振频率温度系数(-36< τf<79), 而被广泛用于微波介质谐振器中[ 3]. Tohdo等[ 4]研究表明, xMO- yLa2O3- zTiO2复合体系随着MO氧化物以及 x: y: z的比率不同, 其介电性能会有所不同. 当 x: y: z=1:2:4时, CaO-La2O3-TiO2复合体系的微波介电性能最优, εr=41, Q× f=50246 GHz, τf=-25.5×10-6/℃; SrLa4Ti4O15体系的微波介电性能达到 εr=44, Q× f=46220 GHz, τf=-8.4×10-6/℃. Vineis等[ 5]报道的BaLa4Ti4O15以及Ba2La4Ti5O18体系也具有高的介电常数、品质因数以及低谐振频率温度系数.
本工作研究了(Ba1- xSr x)La4Ti4O15( x=0.8~0.95)复合体系陶瓷的微波介电性能, 并分析了Ba2+对Sr2+的替代对陶瓷显微结构、相组成、介电性能的影响.
将高纯度的BaCO3(99.9%), SrCO3(99.9%), La2O3 (>99.0%), TiO2(99.5%)原料按照(Ba1- xSr x)La4Ti4O15( x=0.8~0.95)化学计量比进行配料, 其中 x值分别为0.8、0.85、0.9和0.95, 由固相反应法合成(Ba1- xSr x)La4Ti4O15粉体. 以去离子水作为助磨剂, 采用氧化锆磨球, 球磨6 h. 将球磨后的浆料烘干后放入氧化铝坩埚, 在1200℃下预烧2.5 h, 合成(Ba1- xSr x)La4Ti4O15陶瓷粉料. 加入5wt%的聚乙烯醇, 对制备的粉体进行研磨造粒, 在25 MPa的压力下制成φ30 mm×9 mm圆柱, 在1450℃下保温5 h.
利用阿基米德原理测试陶瓷的密度. 采用Phlips χ'pert Pro MPD型X射线衍射仪对烧结后所 得粉体以及陶瓷样品进行分析, 并利用与之配套的χ'pert Highscore软件分析样品的物相组成. 用Jeol JSM-6490LV型电子扫描显微镜观察陶瓷样品的微观形貌. 采用HP83752A矢量网络分析仪结合电子科大微波中心自制夹具测量其微波介电性能(Hakki-Coleman法) , 谐振模式为TE011, 测量范围为1~4 GHz.
实验室制备的(Ba0.2Sr0.8)La4Ti4O15与SrLa4Ti4O15陶瓷粉料的XRD图谱如图1所示. 由两者的XRD图谱对比分析可知, (Ba0.2Sr0.8)La4Ti4O15粉料的主晶相为SrLa4Ti4O15, 不存在第二相. 这表明在 x<0.2时, 掺入的Ba2+占据SrLa4Ti4O15晶相的晶格位置或晶格间隙, 说明Ba2+在(Ba1- xSr x)La4Ti4O15中的固溶度大于0.2, Ba2+部分替代Sr2+对粉料的物相组成没有明显的影响.
图2为不同 x值( x=0.8~0.95)制备成的(Ba1- xSr x)La4Ti4O15复合体系粉体在1450℃下烧结5h所获得陶瓷的XRD图谱. 经PDF卡片标定, 该体系陶瓷均形成六方晶系类钙钛矿结构的SrLa4Ti4O15主晶相, 并且在2 θ=28o附近存在第二相的峰, 为SrLa8Ti9O15. 产生第二相的主要原因是在高温烧结下, 粉料中不同离子的活性不同, 造成在晶格空隙中的占位不同, 从而反应形成不同的晶相[ 6].
根据图2中衍射峰的位置, 根据布拉格方程, 采用最小二乘法计算出不同 x值类钙钛矿结构的(Ba1- xSr x)La4Ti4O15( x=0.8~0.95)陶瓷的晶格参数, 其变化规律如图3所示. 根据图3(a)所示, 随着 x值逐渐增大, 即Ba2+含量的减少, 晶格常数 a、 c值逐渐减小. 晶格常数的缩小主要是由于Ba2+(0.161 nm)的离子半径大于Sr2+(0.144 nm)[ 3], Ba2+取代Sr2+的晶格位置, 使晶格结构发生偏移, 同时晶胞体积逐渐减小, 如图3(b).
不同 x值的(Ba1- xSr x)La4Ti4O15陶瓷的微观形貌如图4所示. 由图4(a)可看出, 当 x=0.8时, 该复合体系陶瓷的晶粒结晶完全, 晶粒尺寸较大, 约10~20 μm, 结构致密, 晶界清晰; 当 x=0.85时, 晶粒尺寸减小, 晶体周围出现液相熔融特征, 存在少量的气孔, 如图4(b). 随着 x值的逐渐增大, 由于第二相的作用, 晶粒形态发生了很大的改变, 生成条状结构, 并且气孔逐渐增多, 如图4(c)和(d).
不同 x值(Ba1- xSr x)La4Ti4O15陶瓷的密度和介电常数变化关系如图5所示. 由陶瓷密度与Sr2+含量的变化关系曲线得出, 随着Sr2+含量的增加, 陶瓷样品的密度先增大后减少. 在 x=0.8时, 样品在1450℃下烧结达到致密, 主要原因是Ba2+对Sr2+的部分替代, 使得(Ba1- xSr x)La4Ti4O15的六方层状钙钛矿结构堆积更加紧密, 因而陶瓷样品更加致密, 其相对密度均大于理论密度的96%.
(Ba1- xSr x)La4Ti4O15陶瓷的介电常数 εr同样随着 x值的增大而减小. 对于高 εr微波介质陶瓷, 晶体结构中存在氧八面体结构, 因此在微波频率下对介电常数产生贡献的是电子-离子耦合极化作用[ 7, 8, 9]. Ba2+的离子半径大于Sr2+, 随着Ba2+含量的减少, 引起氧八面体(B位)体积的减小, 使得在外场的作用下Ti4+在氧八面体中的可移动空间减小, 导致钛、氧离子构成的内电场消弱, 耦合极化作用减弱, 因此极化率减小. 根据固体介电常数公式,
式中 ni表示单位体积中各原子的数目, αi表示它们的极化率. 极化率减小, 介电常数相应地减小. 同时, 由图4的SEM照片可以得到, 陶瓷晶粒中的气孔逐渐增多, 粒界增多, 导致晶体中点阵缺陷的浓度增大, 从而降低陶瓷的介电常数. 在 x=0.8时, (Ba1- xSr x)La4Ti4O15陶瓷的介电常数达到最大, εr=40.86.
不同 x值(Ba1- xSr x)La4Ti4O15陶瓷的 Q× f值及谐振频率温度系数 τf变化关系如图6所示. 从图6可以看出, 随着Sr2+含量的逐渐增大, 谐振频率温度系数 τf逐渐减小. 其原因主要有以下两点: (1)B位缺陷的六方层状密堆积结构中的氧八面体厚度的改变对谐振频率温度系数 τ f有一定的影响[ 8, 10]. 由于Ba2+的离子半径大于Sr2+, 造成六方密堆积结构晶格的A位离子半径增大, 晶体八面体结构的厚度发生变化, 温度稳定性增强; (2)结合图4的扫描电镜可以看出, 随着Sr2+含量的增大, 陶瓷的晶体微观结构发生变化, 由蜂窝形转变成条形, 因此谐振频率温度系数 τf逐渐减小[ 11, 12]. 离子晶体的介电损耗主要包括两方面: 一是本征损耗, 主要取决于晶格振动模式; 二是非本征损耗, 主要受杂质、缺陷及晶界等影响[ 11]. 根据图2 XRD分析可知, 第二相的含量很少, 可以认为没有形成填隙晶粒, 因此第二相的作用可以忽略不计. 如图6所示, 随着 x值的增大, 晶体结构中的氧八面体发生改变, 离子混乱造成离子间内应力增大[ 8, 10], 离子振动产生的损耗增大, 因而本征损耗逐渐增大. 另外, 根据图4可以看到, 随着Sr2+的含量增加, 晶界处现液相, 晶体中的气孔增多, 晶界增多, 非本征损耗增加, 因此陶瓷的介电损耗逐渐增大, Q× f逐渐减小.
综上所述, 对于(Ba1- xSr x)La4Ti4O15体系, 在 x=0.8时, 陶瓷的微波介电性能较好, εr=40.86, Q× f=62806 GHz, τf≈-20×10-6/℃, 此时(Ba1- xSr x)La4Ti4O15陶瓷具有较好的综合介电性能.
通过对(Ba1- xSr x)La4Ti4O15 ( x=0.8~0.95)微波介质陶瓷的物相组成、微观结构及微波介电性能的研究, 得出以下结论:
1)由固相反应法合成的(Ba1- xSr x)La4Ti4O15复合体系陶瓷的主晶相为六方晶系类钙钛矿结构, 存在第二相. 在 x=0.8时, 晶粒尺寸在10~20 μm之间, 晶界清晰. 随着 x值逐渐增大, 晶格常数 a、 c减小, 晶胞体积减小.
2)随着 x值逐渐增大, (Ba1- xSr x)La4Ti4O15陶瓷的体积密度、介电常数、品质因子及谐振频率温度系数逐渐减小.
3)在 x=0.8时, (Ba1- xSr x)La4Ti4O15体系陶瓷具有优异的微波介电性能, εr=40.86, Q× f=62806 GHz, τf≈-20×10-6/℃, (Ba1- xSr x)La4Ti4O15陶瓷具有较好的综合介电性能.