陆翠敏(1978-), 女, 博士, 讲师. E-mail:lucuimin@sina.com
探讨了硬性添加物MnO2、软性添加物Nb2O5和两性添加物Cr2O3对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT5)压电陶瓷的相组成及温度稳定性的影响. 研究结果发现: 各掺杂组成在900℃的煅烧温度下, 都可以得到钙钛矿结构. 随着各掺杂离子的增大, 四方相含量减少, 准同型相界向三方相移动. 综合考虑离子掺杂对PMSZT5压电陶瓷的机电性能及温度稳定性的研究结果表明: 锰过量较其它铌和铬掺杂的温度稳定性更好, 机电性能最佳的PMSZT5+0.1wt% MnO2的组成,
The Effects of ragid additive of MnO2, soft additive of,Nb2O5and double additive of Cr2O3on the crystallographic phase and temperature stability of Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3 (PMSZT5) piezoelectric ceramic were studied. The results show that the pure perovskitic structure is obtained after calcined at 900℃. With these additives increasing, the amount of tetroganal phases decrease, and the morphotropic phase boundary(MPB) is correspondingly shift to the rhombohedral phase. Considering the effects of ion doping on the electric properties and temperature stability comprehensively, the PMSZT5 ceramic doped with MnO2 has more excellent temperature stability than that doped with Nb2O5and Cr2O3. A well-situated property of relative dielectric constant
以PZT为基础发展起来的锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3) xZr yTi zO3压电陶瓷具有以下特点[ 1]: 机电耦合系数可在很宽的范围内调节, Q m值最高可达到5300, 介质损耗小, 谐振频率的温度稳定性好,其性能还可以通过适当的掺杂来改性[ 2, 3, 4, 5, 6, 7], 因此锑锰锆钛酸铅压电陶瓷是大功率压电器件方向的主要选择材料. 随着压电陶瓷器件使用范围的拓宽, 要求压电陶瓷在不同的温度范围内工作. 为了保证材料的温度稳定性, 必须将各种参数随温度变化的幅度降至最小, 所以温度稳定性问题就成为压电陶瓷工作中一个相当突出的问题. 但针对锑锰锆钛酸铅压电陶瓷来说, 温度稳定性方面的研究还很少.
综上分析, 本工作以锑锰锆钛酸铅准同型相界处的组成Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT5)为基础配方, 分析硬性添加物MnO2、软性添加物Nb2O5和两性添加物Cr2O3对PMSZT5压电陶瓷的相组成、机电性能及温度稳定性的影响.
实验选择的配方是:
(1) PMSZT5+ zwt%MnO2( z=0, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7);
(2) PMSZT5+ zwt%Nb2O5( z=0.02, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2);
(3) PMSZT5+ zwt% Cr2O3( z=0, 0.2, 0.4, 0.6,0.8).
采用传统的电子陶瓷制备工艺. 按化学剂量比计算各组成的原料含量并称量. 不同粉料在900℃下预烧, 合成后的粉料添加7%PVA, 加压制成圆片, 排胶后样品1200~1260℃下保温烧结, 烧成的样品经打磨后被覆银电极, 730℃烧银后在120℃的硅油中加电压极化, 放置24 h后测其性能.
压电应变常数 d33采用中科院声学所制ZJ-3A型准静态 d33测量仪测量. 根据传输线路法测量谐振频率 fr 、反谐振频率 fa, 通过查表和计算求出 K31. 通过日本理学D/max2500X射线衍射仪(X-ray diffraction, XRD) 分析样品的组成和晶相. K31、tan δ、
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图1为900℃煅烧保温2 h时, 不同过量锰(图1(a))、铌掺杂(图1(b))及铬掺杂(图1(c))PMSZT5试样合成粉末的XRD图谱. 已知锰、铌离子半径分别为0.08、0.064 nm. 双性铬离子当温度不同时会呈现+3、+5和+6三种不同的价态[ 8], 其离子半径分别为0.062、0.048、0.038 nm. Ti4+和Zr4+的离子半径为0.064、0.082 nm. 因此, 各锰、铌、铬离子会取代(ZrTi)4+的位置进入晶格. 用X射线可以检测相的纯度及鉴定相组成. 由图1可知, 本实验可以制备出纯的钙钛矿结构. 过量锰离子、掺杂铌离子以及铬离子完全进入主晶相. 三方-四方的相转变可以通过三方相的特征峰(200)R, 四方相的二个特征峰 (200)T和(002)T的变化来分析[ 9]. 从2 θ=43°~47°衍射区的XRD图谱看出: 在各掺杂范围内时两相共存, 材料处于准同型相界, 随着各掺杂量的增加, 三方相含量增加.
图2为合适的烧结温度下, PMSZT5压电陶瓷中不同MnO2、Nb2O5和Cr2O3含量与介电常数 ε33T/ ε0, 压电常数 d33, 机电耦合系数 Kp 的关系图. 从图2看出, MnO2过量0.1wt%时、Nb2O5掺杂量为0.05wt%、Cr2O3掺杂量为0.6wt%时, 机电性能达到最佳值: MnO2: ε33 T/ ε0 =1560, d33=350 pC/N, Kp=0.63; Nb2O5: ε33 T/ ε0 =1540, d33=345 pC/N, Kp=0.59; Cr2O3: ε33 T/ ε0=1650, d33=328 pC/N, Kp=0.63.
图3 为不同锰掺杂PMSZT5陶瓷的、、 K31和 d31随温度的变化曲线. 由图3(a)看出, 锰过量0.1wt%时, 随着温度升高, 谐振频率变化率增大, 锰过量0.3wt%和0.5wt%时, 随着温度升高, 谐振频率变化率降低. 谐振频率随温度的变化主要起因于弹性柔顺系数的变化, 其变化趋势与弹性柔顺系数的变化相反(如图3(b)所示). 弹性柔顺系数随温度的变化趋势是温场和热场共同作用的结果[ 10]. 从 K31随温度的变化曲线看出(如图3(c)所示), 锰过量0.1wt%时, 随着温度升高, K31降低; 锰过量0.3wt%和0.5wt%时, K31增大. 随着温度升高所有组成样品的 d31一直是增大的(如图3(d)所示).
PMSZT5+ zwt%MnO2体系锰含量变化引起的效果见表1, 可以看出, 对于机电性能较好的锰过量0.1wt%的组成来说, -25~80℃的 fr、 K31和 d31平均温度系数分别为72×10-6/℃、-0.027%/℃和0.100%/℃与未掺杂相比(TC fr=142×10-6/℃, TC K31=-0.086%/℃, TC d31=0.118%/℃)要小, 说明适量锰加入可以改善PMSZT5体系的温度稳定性.
图4 为不同铌掺杂PMSZT5样品的,、 K31和 d31随温度的变化曲线. 铌含量变化引起PMSZT5+ zwt%Nb2O5陶瓷的温度系数变化见表2. 从表2中看出, 对于机电性能较好的PMSZT5+ 0.05wt%Nb2O5的陶瓷来说, -25~80℃的 fr、 K31和 d31平均温度系数分别为145×10-6/℃、-0.047%/℃和0.047%/℃. 与未掺杂陶瓷的相比(TC fr=142×10-6/℃, TC K31=-0.086%/℃, TC d31=0.118%/℃), 谐振频率的温度稳定性变化不大, 但 K31和 d31要比未掺杂的稳定性变好. 说明适量铌的加入可以改善PMSZT5体系的温度稳定性.
图5 为不同铬掺杂PMSZT5陶瓷的、、 K31和 d31随温度的变化曲线. 表3是不同铬掺杂PMSZT5+ zCr2O3陶瓷的温度系数变化, 从表中看出, 铬掺杂量为0.2wt%和0.4wt%的样品TC fr、TC K31 和TC d31比未掺杂的样品要小得多. 加入0.2wt% Cr2O3: TC fr、TC K31和TC d31分别为22×10-6/℃、-0.018%/℃和0.082%/℃. 0.4wt% Cr2O3: 53×10-6/℃、-0.018%/℃和0.070%/℃. Cr2O3掺杂量达到0.6wt%时, 虽然机电性能较其它的掺杂要好, 但TC fr变化率较大. 可见在掺杂量较小时, 可以改善体系的温度稳定性. 另外0.4wt%和0.6wt%之间还有可能存在最佳的组成, 体系的机电性能最佳, 温度稳定性较好.
由此看来, 改性物的作用与主成分及添加量有关, 只有掺杂一定的主成分和适当的添加量时, 才能对谐振频率及其它压电性能参数有稳定化效应. 改性物的作用机制尚不十分清楚, 不过从以上研究可以看出, 添加物改变相界位置是其影响频率温度稳定性的一个重要方面. 另外的一种解释是空间电荷产生内偏场的作用[ 11]. 在掺有稳定剂的陶瓷中, 一般会引起空间电荷量变化. 软性添加物减少空间电荷. 硬性添加物增加空间电荷. 空间电荷极化作用可以抑制畴壁运动, 这使得压电性能降低. 空间电荷量和体积电阻率有关, 由于电阻率随温度的升高而下降, 所以空间电荷作用随着温度的升高而减弱. 另外掺杂剂可能使体系晶粒生长更致密, 也会改善体系的稳定性[ 12]. 综合考虑这些, 掺杂剂对温度稳定性的影响应该是复杂的.
1) 各掺杂离子的加入使PMSZT5体系从四方相和三方相共存移向三方相. 适量的软性、硬性及两性离子掺杂, 优化了PMSZT5三元系陶瓷的介电和压电性能.
2) 综合考虑离子掺杂对机电性能及温度稳定性的共同影响, 锰过量较其它铌和铬掺杂更为优良. 机电性能较好的锰过量0.1wt%的组成, ε33 T/ ε0 =1560, d33=350pC/N, Kp=0.63. -25~80℃的 fr、 K31和 d31平均温度系数分别为72×10-6/℃、-0.027%/℃, 0.100%/℃与未掺杂相比(TC fr=142×10-6/℃, TC K31= -0.086%/℃, TC d31=0.118%/℃)要小.