Eu2+、Dy3+、Li+共掺杂CaSi2O2N2荧光粉的发光性能
卢亚军, 王宏志, 李耀刚, 张青红
东华大学 材料学院, 纤维材料改性国家重点实验室, 上海 201620
王宏志, 教授. E-mail:wanghz@dhu.edu.cn

卢亚军(1987-), 女, 硕士研究生. E-mail:luyajun11@163.com

摘要

采用高温固相反应法制备了一系列白光LED用CaSi2O2N2: 0.05Eu2+,xDy3+,xLi+(0≤x≤0.03)荧光粉. 利用X射线衍射仪对样品的物相结构进行了分析, 结果表明: Dy3+和Li+离子的掺入没有改变CaSi2O2N2: Eu2+荧光粉的主晶相. 利用荧光光谱仪对样品的发光性能进行了测试, 发现所有样品的激发光谱均覆盖了从近紫外到蓝光的较宽范围, 400 nm激发下得到的发射光谱为宽波段的单峰, 峰值位于545 nm左右, 是Eu2+离子5d-4f电子跃迁引起的. Dy3+离子掺杂可以提高CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的发光强度, Dy3+与Li+共掺杂可进一步提高荧光粉的发光强度, 当Dy3+和Li+的掺杂量为1mol%时, 荧光粉的发光强度达到最大值, 是单掺杂Eu2+的荧光粉发光强度的157%.

关键词: 荧光粉; 共掺杂; 发光性能; 白光发光二极管
中图分类号:O482   文献标志码:A    文章编号:1000-324X(2012)10-1095-04
Photoluminescence Properties of Eu2+, Dy3+, Li+ Co-doped CaSi2O2N2 Phosphors
LU Ya-Jun, WANG Hong-Zhi, LI Yao-Gang, ZHANG Qing-Hong
College of Materials Science and Engineering, Donghua University, Shanghai 201620, China
Abstract

A series of CaSi2O2N2: 0.05Eu2+,xDy3+,xLi+ (0≤x≤0.03) phosphors were prepared through high-temperature solid-state reaction method. The phosphors were characterized by X-ray diffraciton (XRD) and fluorescence spectrophotometer (PL). XRD patterns revealed that the samples maintained CaSi2O2N2 single phase after doping Dy3+ or Li+ ions. The PL results showed that the excitation spectra of samples were all located in the UV to blue spectral region. The emission spectra for 400 nm excitation showed the typical broad band of Eu2+ peaking at about 545 nm (5d-4f). In addition, the emission intensity could be greatly enhanced through doping Dy3+ in CaSi2O2N2:Eu2+ phosphors. Furthermore, the effect of the Li+ doping was studied. Li+ ions could be used as charge compensation in CaSi2O2N2:Eu2+, Dy3+ phosphors. Thus the doping of Li+ ions could further improve the emission intensity of CaSi2O2N2:Eu2+, Dy3+ phosphor. When the doping concentrations of Dy3+ and Li+were 1mol%, the emission intensity reached a maximum, which was about 157% of that of the sample without doping Dy3+ or Li+.

Keyword: phosphors; co-doping; luminescence; LED

白光发光二极管(Light Emitting Diodes, 简称LED)具有节能、绿色环保、体积小、寿命长、启动时间短、结构牢固等显著特点[ 1], 有望取代白炽灯、荧光灯、钠灯等成为新一代的照明光源. 荧光粉是制备白光LED的关键材料之一, 其性能直接决定白光LED的发光效率、显色指数等性能指标.

目前, 铈激活的钇铝石榴石荧光粉(Y, Gd)3(Al, Ga)5O12:Ce3+(简称YAG:Ce3+)被广泛用于白光LED, 但是该类荧光粉显色指数低、热稳定性较差[ 2]. 最近开发出来的CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉是一种具有特殊层状结构的发光材料, 具有良好的热稳定性、化学稳定性以及与LED芯片的高匹配性[ 3, 4], 有望取代YAG:Ce3+. 不过, 与YAG:Ce3+相比, 该类荧光粉的发光强度还有待进一步提高.

提高荧光粉发光强度的方法主要有两种: 一种通过优化荧光粉的制备工艺来实现, 如Xie等[ 5]将高温固相反应法制得的荧光粉重新研磨后进行二次煅烧, 使荧光粉的发光强度得到了显著提高. 然而, 这种方法生产周期长, 能耗大, 并且容易导致荧光粉颗粒过度长大; 另一种采用离子共掺杂, 通过掺入其他杂质离子, 改变激活离子的晶格场环境, 从而显著提高荧光粉的发光强度[ 6, 7, 8, 9, 10]. 本工作通过高温固相反应法制备了Dy3+和Li+掺杂的CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉, 并研究了Dy3+和Li+掺杂对CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉发光性能的影响.

1 实验

采用高温固相反应法制备组成为Ca0.95-2 xSi2O2N2:0.05Eu2+, xDy3+, xLi+(0≤ x≤0.03)和Ca0.94Si2O2N2:0.05Eu2+, 0.01Dy3+的荧光粉. 所用原料为CaCO3(99.99%)、SiO2(99.99%)、Si3N4(SN-E10, Ube Industries, Japan)、Eu2O3(99.99%)、Dy2O3(99.99%)及Li2CO3(99.99%). 按化学计量比准确称取一定量的原料, 在无水乙醇介质中利用行星式球磨机球磨1 h, 转速为350 r/min. 混合均匀后将原料混合物在70℃烘箱中烘干, 然后通过100 μm标准筛过筛后放入氧化铝瓷舟中, 放在管式气氛炉中, 通入氮气, 氮气流量为300 mL/min, 以2℃/min升温速度升温至800℃, 保温30 min, 再以相同的升温速度升温至1400℃保温5 h. 完成后随炉冷却到室温, 取出, 在玛瑙研钵中研磨成粉体. 将粉体分散到5vol%的盐酸溶液中, 磁力搅拌2 h, 再用蒸馏水和无水乙醇各离心洗3次, 最后在60℃烘箱中干燥12 h即得到样品.

采用Rigaku D/max-2550Pc 型X射线衍射仪对样品进行物相分析. 测试条件为Cu靶, Kα辐射 (λ =0.154 nm, 管电压40 kV, 电流200 mA, 扫描速度为0.02º/s. 采用JASCO FP-6600荧光光谱仪测试样品的激发和发射光谱, 激发狭缝为3 nm, 发射狭缝为2 nm, 响应时间均为0.2 s, 扫描速度为200 nm/min. 采用日本的Model FP-6600, IFS-513测量样品的量子效率, 激发光波长为400 nm, 光谱范围为370~ 700 nm, 激发狭缝为3 nm, 发射狭缝为6 nm. 采用HSP-3000光谱分析仪测试样品的色坐标. 所有测试均在室温下进行.

2 结果与讨论
2.1 样品的XRD分析

图1为制得的Ca0.95Si2O2N2:0.05Eu2+、Ca0.94Si2O2N2:0.05Eu2+, 0.01Dy3+、Ca0.93Si2O2N2: 0.05Eu2+, 0.01Dy3+, 0.01Li+荧光粉以及CaSi2O2N2标准JCPDS(44-0117)的XRD图谱. 由图1可知, 各样品的衍射峰与CaSi2O2N2标准JCPDS卡基本一致, 表明Eu2+、Dy3+及Li+离子掺杂并不影响基体的结构. CaSi2O2N2为单斜结构, 由(Si2O2N2)2-层与Ca2+离子构成的, 其中(Si2O2N2)2-层由SiON3-四面体组成; Ca2+离子位于(Si2O2N2)2-层与层之间, 被6个O原子组成的三棱柱包围, 一个N原子连在三棱柱的顶端[ 11]. Ca2+的离子半径为0.099 nm, 而Eu2+的离子半径为0.109 nm, Dy3+的离子半径为0.091 nm, Li+的离子半径约为0.07 nm, Eu2+、Dy3+与Ca2+的离子半径非常接近, Li+的离子半径与Ca2+离子的相差也不大, Eu2+、Dy3+及Li+离子容易进入晶格取代Ca2+的位点.

图1 CaSi2O2N2标准JCPDS卡(JCPDS 44-0117)与Dy3+或Li+离子掺杂前后CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的XRD图谱Fig. 1 XRD patterns of CaSi2O2N2(JCPDS 44-0117) and CaSi2O2N2:Eu2+ phosphors doped with or without Dy3+ or Li+

图2为不同Dy3+和Li+掺杂浓度的Ca0.95-2 xSi2O2N2: 0.05Eu2+, xDy3+, xLi+(0≤ x≤0.03)荧光粉与CaSi2O2N2标准JCPDS卡(44-0117)的XRD图谱. 由图2可知, 各样品的衍射峰均与CaSi2O2N2标准JCPDS卡的基本一致, 表明改变Dy3+和Li+的掺杂量并不影响荧光粉的晶体结构.

图2 CaSi2O2N2标准JCPDS卡(44-0117)与Ca0.95-2 xSi2O2N2: 0.05Eu2+, xDy3+, xLi+荧光粉的XRD图谱Fig. 2 XRD patterns of CaSi2O2N2(JCPDS 44-0117) and Ca0.95-2 xSi2O2N2: 0.05Eu2+, xDy3+, xLi+ phosphors

2.2 样品的发光性能分析

图3为制得的Ca0.95Si2O2N2: 0.05Eu2+、Ca0.94Si2O2N2: 0.05Eu2+, 0.01Dy3+及Ca0.93Si2O2N2: 0.05Eu2+, 0.01Dy3+, 0.01Li+荧光粉的激发和发射光谱. 由图3可知, 除发光强度外, Dy3+或Li+掺杂前后CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的激发和发射光谱的峰形、峰位没有发生明显的变化, 所有样品的激发光谱均为宽波段的单峰, 覆盖从近紫外到蓝光区的范围, 峰值位于400 nm左右, 样品可以被UV-蓝光有效激发, 该宽激发光谱对应Eu2+离子4f7→4f65d电子能级跃迁. 400 nm激发下得到的发射光谱为宽波段的单峰, 峰值位于545 nm左右, 对应Eu2+离子4f65d→4f7辐射跃迁. Dy3+或Li+掺杂前后荧光粉的发光强度发生了明显变化, 发光强度按以下顺序排序: CaSi2O2N2:Eu2+, Dy3+, Li+ > CaSi2O2N2:Eu2+, Dy3+> CaSi2O2N2:Eu2+. 由于Dy3+与Eu2+之间存在能量传递[ 12], 因此掺入Dy3+可以提高CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的发光强度. 另一方面, 由于离子电荷之间的差异, 当Dy3+取代Ca2+时, 将多出1个有效正电荷DyCa·; 当Li+取代Ca2+时, 将产生1个有效负电荷LiCa, 可以认为两个Ca2+分别被一个Dy3+和一个Li+取代, 即2CaCa×→DyCa·+ LiCa, 从而可以达到电荷平衡的状态, 即Dy3+和Li+共掺杂时, Li+可以起到电荷补偿的作用[ 13], 因此Dy3+与Li+共掺杂可进一步提高荧光粉的发光强度.

图3 Dy3+或Li+离子掺杂前后CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的激发和发射光谱Fig. 3 Excitation and emission spectra of CaSi2O2N2:Eu2+ phosphors doped with or without Dy3+ or Li+

为了得到Dy3+和Li+离子在CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉中的最佳掺杂量, 制备出发光强度高的荧光粉, 因此, 利用高温固相反应法进一步合成了一系列Ca0.95-2 xSi2O2N2: 0.05Eu2+, xDy3+, xLi+(0≤ x≤0.03)荧光粉. 图4为不同含量Dy3+和Li+掺杂CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的激发和发射光谱. 所有样品的激发波长包含从近紫外到蓝光的较宽范围. 400 nm激发下得到的发射光谱为宽的单峰, 峰值位于545 nm左右, 对应Eu2+离子4f65d→4f7跃迁. 改变Dy3+和Li+离子的掺杂量荧光粉的激发和发射光谱并不发生偏移, 最佳激发和发射峰的位置基本保持不变. 荧光粉的发光强度与Dy3+和Li+离子掺杂量相关. 图5为随Dy3+和Li+掺杂量的改变, 荧光粉发光强度的变化规律, 从图中可以看出, 随Dy3+和Li+掺杂量的增加, 样品的发光强度迅速提高, 当掺杂量增加到 x= 0.01时, 荧光粉的发光强度达到最大, 是未掺杂Dy3+和Li+的CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉发光强度的157 %. 随着Dy3+和Li+的掺杂量的进一步增加, 荧光粉的发光强度降低, 但是也比未掺杂Dy3+和Li+的荧光粉的发光强度要高. Dy3+和Li+离子的最佳掺杂量为1mol%.

图4 不同含量Dy3+和Li+掺杂CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的激发和发射光谱Fig. 4 Excitation and emission spectra of CaSi2O2N2:Eu2+ phosphors with different contents of Dy3+ and Li+ ions

图5 Dy3+, Li+掺杂量对荧光粉发光强度的影响Fig. 5 Dependence of the emission intensity on the content of Dy3+ and Li+ in phosphors

量子效率是衡量发光材料性能的重要指标之一. 它分为内量子效率(Int. QE)和外量子效率(Ext. QE). 内量子效率是样品所发射的光的光子数与样品所吸收的光的光子数之比. 外量子效率是指样品所发射的光的光子数与样品所受的激发光的光子数之比. 由于激发光并不完全被样品所吸收, 所以内量子效率更能反映荧光粉本身的发光性能. 因此, 对不同Dy3+和Li+掺杂量荧光粉的内量子效率进行了测试, 如表1所示.

表1 CaSi2O2N2: 0.05Eu2+, xDy3+, xLi+荧光粉的内量子效率 Table 1 Int. QE of CaSi2O2N2: 0.05Eu2+, xDy3+, xLi+ phosphors

由表可知, 通过掺杂Dy3+和Li+离子, 荧光粉的量子效率得到了提高, 当Dy3+和Li+离子掺杂量为 x= 0.01时, 荧光粉的量子效率达到最大值约为61.06%.

色坐标是衡量发光材料色品质好坏的一种重要参数. 表2为所制得的Ca0.95-2 xSi2O2N2: 0.05Eu2+, xDy3+, xLi+(0≤ x≤0.03)荧光粉的色坐标值( x, y). 由表可知, Dy3+和Li+离子的掺入对CaSi2O2N2: Eu2+荧光粉的色坐标及色纯度没有产生明显的影响.

表2 CaSi2O2N2:0.05Eu2+, xDy3+, xLi+荧光粉的色坐标 Table 2 CIE color coordinates of CaSi2O2N2:0.05Eu2+, xDy3+, xLi+ phosphors
3 结论

通过高温固相反应法制备了Dy3+和Li+共掺杂的CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉, Dy3+和Li+掺杂可显著增强荧光粉的发光强度, 当Dy3+和Li+的掺杂量为 1mol%, 荧光粉的发光强度和量子效率达到最大, 发光强度是未掺杂Dy3+和Li+的CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉发光强度的157%, 量子效率可以达到61.06%. 该系列荧光粉可以被UV-蓝光有效激发, 因此在白光LED领域具有广阔的应用前景.

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